时间：2025/9/1 9:12:38
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IS45S16400J-6TLA1是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的16Mbit（1M x 16）异步静态随机存取存储器（SRAM）。这款SRAM芯片采用CMOS技术制造，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场合。IS45S16400J-6TLA1具有高性能的访问时间（最高为55ns），并支持宽温度范围，适合在工业级环境中运行。
容量：16Mbit
组织结构：1M x 16
访问时间：最大55ns
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
最大工作电流：160mA（典型值）
待机电流：10mA（最大）
IS45S16400J-6TLA1 SRAM芯片的一个关键特性是其高速访问能力，使其适用于需要快速数据存取的应用，例如通信设备、工业控制系统和嵌入式系统。该芯片采用低功耗CMOS设计，使其在活跃工作和待机模式下都能保持较低的能耗。
此外，该SRAM芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了其在不同电源条件下的适用性，并增强了系统的兼容性和稳定性。它的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适合在严苛的工业和商业环境中使用。
IS45S16400J-6TLA1采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于在高密度电路板上布局，并具有良好的散热性能。该器件还具备数据保持电压（通常为1.5V），即使在低电压状态下也能保持数据完整性。
IS45S16400J-6TLA1广泛应用于需要高速、低功耗和高稳定性的系统中。例如，在网络设备和路由器中，它可以用作高速缓存或临时数据存储。在工业控制设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）或自动化系统，该SRAM芯片可以提供可靠的数据存储解决方案。
此外，它也适用于手持设备、医疗仪器和测试测量设备，特别是在需要长时间数据保持和快速响应的场景中。由于其宽温特性和高可靠性，该芯片在航空航天和汽车电子等高端领域也有广泛应用。
IS45S16400J-6TLI1, CY7C1041CV33-55ZSXI, IDT71V416S08TG
