型号：UD606G-S08-R
　　制造商：UnitedSiC (Qorvo)
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
　　漏源电压 VDS：650 V
　　连续漏极电流 ID (TC=25°C)：30 A
　　脉冲漏极电流 IDM：120 A
　　导通电阻 RDS(on)：60 mΩ @ VGS = 12 V, ID = 15 A
　　栅极阈值电压 VGS(th)：典型值 3.5 V，范围 2.8 ~ 4.0 V
　　输入电容 Ciss：典型值 3800 pF
　　输出电容 Coss：典型值 550 pF
　　反向恢复电荷 Qrr：0 C（无体二极管反向恢复）
　　最大栅源电压 VGS max：+6.5 V / -4 V
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DFN-8L (5x6 mm)
　　安装方式：表面贴装
　　是否符合RoHS：是

UD606G-S08-R的核心优势在于其基于GaN材料的宽禁带半导体特性，使其相较于传统硅MOSFET在多个关键性能指标上实现显著提升。首先，其60mΩ的低导通电阻与高电流承载能力相结合，在高功率密度应用中大幅降低了导通损耗，提升了能效。同时，由于GaN器件为横向HEMT结构，不存在传统硅MOSFET中的PN结体二极管，因此在反向恢复过程中不会产生Qrr（反向恢复电荷），从而彻底消除了由反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题，尤其在桥式拓扑如图腾柱PFC或LLC谐振转换器中表现出卓越的软开关能力。
　　其次，该器件具备出色的开关速度，得益于低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），能够支持数百kHz乃至MHz级别的开关频率运行，使得电源系统可以使用更小体积的电感和电容，显著缩小整体电源模块的尺寸和重量。此外，其DFN-8L封装采用源极共源（Source-down）设计，优化了功率回路与驱动回路的分离，有效降低了共源电感（Ls），进一步抑制了开关过程中的dV/dt噪声对栅极控制的影响，提高了系统的稳定性和抗干扰能力。
　　在可靠性方面，UD606G-S08-R集成了多项保护机制。例如，其内部集成的去饱和（DESAT）检测功能可在发生短路或过流事件时快速关断器件，防止因雪崩击穿导致的永久性损坏。同时，器件支持负压关断（典型-2V至-4V），增强了抗噪声干扰能力，避免因串扰引起的误开通。其宽广的工作结温范围（-55°C至+175°C）也确保了在极端环境条件下仍能稳定运行，适合用于高温工业或汽车级应用场景。

UD606G-S08-R广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子变换系统中。在数据中心和服务器电源领域，它常用于图腾柱无桥PFC（Power Factor Correction）电路中，利用其零反向恢复特性实现超高效率（>99%）的功率因数校正，满足80 PLUS钛金等级能效要求。在可再生能源系统中，如光伏微型逆变器或储能系统DC-DC转换器，该器件凭借高频开关能力和低损耗特性，有助于提升能量转换效率并减小系统体积。
　　在电动汽车相关应用中，UD606G-S08-R可用于车载充电机（OBC）的AC-DC和DC-DC级，支持双向能量流动和高密度设计，满足汽车级可靠性和温度要求。此外，在工业电源、5G通信基站电源、高端UPS不间断电源以及高端音频放大器的开关电源部分，该器件也能发挥其高频、高效的优势。得益于其易于并联使用的特性，多颗UD606G-S08-R可并联以支持更高功率等级的设计，而无需复杂的均流电路，进一步拓展了其在大功率应用中的适用范围。

UJ3C065010B
　　GS-065-011
　　EPC2045