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MB87J8730PFF-G-BNDE1 发布时间 时间:2025/9/22 10:54:05 查看 阅读:11

MB87J8730PFF-G-BNDE1是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高性能、低功耗的串行外设接口(SPI)控制的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具备高可靠性和稳定性,适用于工业自动化、通信设备、医疗仪器以及汽车电子等多种高端应用场景。MB87J8730PFF-G-BNDE1的存储容量为8Mbit(即1M x 8位),支持标准四线SPI接口(SCK、SI、SO、CS#),工作电压范围为2.7V至3.6V,兼容3.3V逻辑电平,可无缝集成到现代嵌入式系统中。该芯片封装形式为小型化的8引脚TSSOP(Thin Shrink Small Outline Package),有助于节省PCB空间,特别适合对尺寸敏感的设计需求。此外,该器件在待机模式下具有极低的静态电流,显著降低了整体系统功耗,延长了电池供电系统的运行时间。MB87J8730PFF-G-BNDE1还具备出色的抗干扰能力和宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保其在恶劣环境下的长期稳定运行。作为富士通SRAM产品线中的重要成员,该芯片广泛用于需要高速数据缓存和临时存储的应用场景,例如网络路由器中的数据包缓冲、工业控制器中的实时数据采集与处理等。值得一提的是,尽管富士通已逐步将部分半导体业务转移至Spansion并最终整合进Cypress Semiconductor(现为英飞凌科技Infineon Technologies的一部分),但MB87J8730PFF-G-BNDE1仍保留在市场上,并有多个授权代理商持续供货,同时也有兼容替代方案可供选择。

参数

型号:MB87J8730PFF-G-BNDE1
  制造商:Fujitsu
  存储类型:SRAM
  存储容量:8Mbit (1M × 8)
  接口类型:SPI(四线制)
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  最大时钟频率:66MHz
  读写速度:典型访问时间 8ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-pin TSSOP
  电源电流(工作):约25mA(典型值)
  静态电流(待机):<10μA
  数据保持电压:≥1.8V
  写保护功能:支持软件/硬件写保护
  可靠性:高抗噪性,无铅/RoHS合规

特性

MB87J8730PFF-G-BNDE1具备多项先进特性,使其在同类SRAM产品中脱颖而出。首先,其基于高性能CMOS工艺设计,实现了卓越的速度与功耗平衡。该芯片支持高达66MHz的SPI时钟频率,能够实现快速的数据传输,满足高速缓存和实时数据处理的需求。在低功耗方面,器件在主动工作模式下仅消耗约25mA电流,在待机或休眠模式下静态电流低于10μA,极大地优化了系统能效,尤其适用于电池供电或绿色节能型设备。
  其次,该SRAM提供灵活的写保护机制,包括通过特定指令集进行的软件写保护以及使用硬件WP#引脚实现的物理级写保护,有效防止关键数据被意外修改或擦除,增强了系统的数据完整性与安全性。此外,芯片内置自动刷新电路和稳定的电压检测模块,能够在电源波动或上电/掉电过程中维持数据稳定,避免因电压不稳导致的数据丢失问题。
  再者,MB87J8730PFF-G-BNDE1采用标准SPI接口协议,兼容绝大多数微控制器(MCU)、DSP和FPGA平台,简化了系统设计与软件开发流程。其命令结构清晰,支持页写入、连续读取等多种操作模式,提升了数据吞吐效率。8引脚TSSOP封装不仅节省空间,而且热性能良好,便于散热管理,适用于高密度PCB布局。
  最后,该器件符合RoHS环保标准,不含铅及其他有害物质,支持无铅焊接工艺,适应现代电子产品对环保与可靠性的双重要求。其宽温工作范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在极端工业环境或车载条件下稳定运行,表现出优异的环境适应能力。综合来看,MB87J8730PFF-G-BNDE1是一款集高速、低功耗、高可靠性和易用性于一体的理想SRAM解决方案。

应用

MB87J8730PFF-G-BNDE1广泛应用于多个高要求的技术领域。在工业自动化系统中,常用于PLC控制器、HMI人机界面和数据采集模块中,作为实时变量缓存或中间运算存储区,确保控制系统响应迅速且数据不丢失。
  在通信基础设施领域,该芯片被用于路由器、交换机和基站设备中,承担数据包暂存、帧缓冲和协议处理任务,其高速SPI接口能够匹配高速串行数据流,提升网络吞吐性能。
  在医疗电子设备中,如便携式监护仪、超声成像系统和血糖检测仪,MB87J8730PFF-G-BNDE1凭借其低功耗和高可靠性,成为临时存储患者生理数据的理想选择,尤其是在断电或更换电池期间仍能保持数据完整。
  在汽车电子方面,该芯片可用于车载信息娱乐系统(IVI)、高级驾驶辅助系统(ADAS)传感器数据缓冲以及仪表盘显示控制单元中,支持在复杂电磁环境下稳定运行。
  此外,在测试测量仪器、POS终端、智能电表和无人机飞控系统中,也常见该SRAM的身影,主要用于程序运行缓冲、日志记录缓存和图像预处理等场景。由于其标准化接口和成熟供应链,工程师可以快速完成原型开发并实现量产导入,大幅缩短产品上市周期。

替代型号

CY7C1019G8ZSXI-BA

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