时间：2025/8/15 8:49:35
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UF3C120080K4S 是 UnitedSiC（现属于Qorvo）推出的一款碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET），采用了高性能的碳化硅半导体技术，适用于高效率、高频率和高温度的工作环境。该器件具有低导通电阻、高击穿电压以及出色的热管理性能，非常适合用于电动汽车、工业电源、太阳能逆变器和储能系统等高端电力电子应用。UF3C120080K4S 采用4引脚TO-247封装，优化了开关性能并减少了寄生电感。
类型：碳化硅MOSFET
漏源电压(Vds)：1200V
漏源电流(Id)@25℃：80A
导通电阻(Rds(on))：25mΩ
栅极电荷(Qg)：典型值85nC
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-247 4引脚
技术：SiC（碳化硅）
封装类型：功率器件封装
功率耗散(Pd)：典型值320W
UF3C120080K4S 的核心优势在于其基于碳化硅材料的卓越性能。与传统硅基MOSFET相比，该器件具有更高的击穿电场强度，能够在更高的电压下保持稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。同时，由于采用了4引脚TO-247封装设计，栅极与源极引脚独立，有效降低了米勒电容的影响，从而提升了高频开关性能并减少了开关损耗。
此外，UF3C120080K4S 具有良好的热导率和较低的热阻，使其在高温环境下仍能保持稳定运行，适用于严苛工况下的电力电子设备。碳化硅材料的宽禁带特性也使其具备更低的反向恢复损耗，这对于桥式拓扑结构中的器件尤为重要，有助于提高整体系统的效率和可靠性。
UF3C120080K4S 主要应用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统中。例如，在电动汽车的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器中，该器件可以显著提升能量转换效率并减小系统体积；在工业电源设备中，如UPS（不间断电源）、伺服驱动器和变频器中，该SiC MOSFET可实现更高频率的开关操作，减少磁性元件的尺寸和重量；在可再生能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，UF3C120080K4S 能够提升能量转换效率并增强系统稳定性。
SiC1200E1763HD, SCT3045KL, UF3C120080T8S
