时间：2025/12/27 8:01:28
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UD2195G-AB3-R是一款由United Silicon Carbide（联合碳化硅）公司推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的电源转换应用设计。该器件采用先进的氮化镓技术，相较于传统硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻和热性能方面具有显著优势。UD2195G-AB3-R属于增强型（E-mode）氮化镓场效应晶体管，这意味着它在栅极电压为零时处于关断状态，提升了系统安全性与易用性，特别适合用于替代传统功率MOSFET的应用场景。该器件封装在紧凑的DFN（Dual Flat No-lead）封装中，具有低寄生电感和优良的散热性能，适用于高密度电源设计。其主要目标市场包括服务器电源、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及高频DC-DC转换器等。UD2195G-AB3-R的设计注重可靠性与鲁棒性，具备良好的抗振铃和抗dv/dt能力，同时支持并联使用以满足更高功率需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，确保在严苛工作环境下的长期稳定运行。
型号：UD2195G-AB3-R
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
材料：GaN-on-Si
漏源电压（VDS）：650 V
连续漏极电流（ID）：30 A
脉冲漏极电流（IDM）：120 A
导通电阻（RDS(on)）：45 mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：3.0 V（典型值）
最大栅源电压（VGS(max)）：+6 V / -4 V
输入电容（Ciss）：1060 pF
输出电容（Coss）：280 pF
反向恢复电荷（Qrr）：0 C
工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
封装类型：DFN 8x8 mm
安装方式：表面贴装（SMD）
是否符合RoHS：是
UD2195G-AB3-R的核心特性之一是其基于氮化镓（GaN）半导体材料的先进物理结构，这种材料具有比硅更高的电子迁移率和更宽的禁带宽度，使其能够在更高的电压和频率下高效运行。作为一款增强型器件，它在栅极无驱动信号时自动关断，避免了耗尽型氮化镓器件需要负压关断的复杂驱动电路设计，极大简化了系统架构并提高了应用的安全性。该器件的低导通电阻（仅45mΩ）显著降低了导通损耗，尤其在大电流应用场景中表现出优异的能效表现。
其次，UD2195G-AB3-R具备极低的寄生参数，包括输入和输出电容，这有助于减少开关过程中的能量损耗，从而实现MHz级别的高频开关操作。高频工作能力使得外部磁性元件（如电感和变压器）可以大幅缩小体积，进而提升整个电源系统的功率密度。此外，由于氮化镓器件本身几乎没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），在硬开关或桥式拓扑中可有效消除体二极管反向恢复带来的尖峰和EMI问题，提升系统可靠性和电磁兼容性。
该器件还具备出色的热性能，DFN封装底部带有裸露焊盘，能够通过PCB高效散热，延长器件寿命并支持持续高负载运行。其坚固的栅极氧化层设计支持±4 kV HBM的ESD耐受能力，并经过严格的短路耐受测试，确保在异常工况下仍具有一定的鲁棒性。此外，器件支持多管并联运行而无需额外的均流电路，得益于其正温度系数的导通电阻特性，有利于实现更高功率等级的设计扩展。
UD2195G-AB3-R广泛应用于对效率、尺寸和散热要求极为严苛的现代电力电子系统中。在数据中心和服务器电源领域，该器件被用于图腾柱PFC（无桥PFC）拓扑中，充分发挥其高频高效的优势，帮助实现超过99%的转换效率，同时减小整体电源模块的体积。在电信设备的AC-DC和DC-DC电源中，UD2195G-AB3-R可用于LLC谐振转换器或同步整流电路，提高系统效率并降低冷却需求。
在可再生能源领域，该器件适用于光伏微型逆变器和储能系统的DC-AC逆变电路，其快速开关能力有助于提升MPPT追踪精度和整体能量产出。对于电动汽车充电基础设施，无论是车载充电机（OBC）还是直流快充桩，UD2195G-AB3-R都能在高功率密度设计中发挥关键作用，缩短充电时间并提升系统效率。
此外，该器件也适用于高端工业电源、激光驱动电源、无线充电发射端以及高密度适配器（如笔记本电脑氮化镓充电器）等消费类电子应用。在这些场景中，UD2195G-AB3-R不仅提升了能效，还通过减少无源元件数量降低了物料成本和系统复杂度。其高频工作能力使得滤波器小型化成为可能，进一步推动轻薄化设计趋势。
[
"UD2195G-AB3",
"GS-065-030-1-L",
"EPC2206",
"LMG3410R050"
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