IR3Y28M 时间：2025/8/27 23:56:16 阅读：17

IR3Y28M 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：28A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.8mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
　　封装类型：PG-TDSON-8（表面贴装）

特性

IR3Y28M MOSFET 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，从而提高系统效率并减少发热。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保在高电流负载下仍能保持稳定的性能。
　　此外，IR3Y28M 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。其最大漏极电流为28A，漏源电压额定值为30V，能够在较高功率应用中可靠运行。
　　该MOSFET采用 PG-TDSON-8 封装，具有良好的热管理能力，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产和紧凑型设计。其栅源电压最大为±20V，具备较高的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动IC和控制电路。
　　IR3Y28M 还具备优异的雪崩能量耐受能力，增强了在负载突变或电感反冲情况下的可靠性，适用于高可靠性要求的工业和汽车电子系统。

应用

IR3Y28M 主要应用于各类高效率功率转换系统中。例如，在同步整流型DC-DC转换器中，该MOSFET作为高侧或低侧开关，可有效提升转换效率并减小电路体积。在电池管理系统（BMS）中，它可用于电池充放电控制和保护电路。
　　此外，IR3Y28M 适用于电机驱动电路，如电动工具、无人机和机器人系统中的电机控制模块。在工业自动化设备中，该器件可用于电源模块、负载开关、电源分配系统等关键部分。
　　由于其优异的热性能和可靠性，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、车身控制系统等应用。其表面贴装封装形式使其适用于自动化生产流程，提高制造效率和产品一致性。