型号：UCY2G100MPD1TD
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：PowerPAK SO-8
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-9.7A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-32A
　　导通电阻(RDS(on))：10mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ @ VGS = -10V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -1.8V
　　输入电容(Ciss)：1320pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻(Junction-to-Ambient, RθJA)：62°C/W
　　热阻(Junction-to-Case, RθJC)：2.5°C/W

UCY2G100MPD1TD采用了Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过优化沟道结构和降低寄生参数，显著提升了器件的开关速度和导通效率。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS = -10V时仅为8.5mΩ，这大大减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统能效。低RDS(on)对于电池供电设备尤为重要，因为它有助于延长电池续航时间并减少发热。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为13nC，这意味着驱动它所需的能量较少，从而降低了驱动电路的复杂性和功耗。这对于高频开关应用如同步降压变换器非常有利，能够有效提升开关频率而不显著增加开关损耗。同时，其输入电容Ciss为1320pF，在同类P沟道MOSFET中处于较低水平，进一步支持了快速开关响应。
　　UCY2G100MPD1TD采用PowerPAK SO-8封装，具备双面散热能力，能够更有效地将结温传导至PCB和外部散热环境，从而提高热稳定性。该封装还具有较小的占板面积（约5mm x 6mm），非常适合对空间敏感的高密度PCB布局。引脚排列兼容标准SO-8封装，便于替换和自动化贴装。
　　该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适用于严苛的工业环境。其最大结温为150°C，并配备可靠的热保护机制，确保在过载或瞬态条件下仍能安全运行。此外，器件具备良好的雪崩耐量和抗静电能力（HBM ESD额定值可达2000V），增强了系统的鲁棒性。
　　Vishay对该产品实施严格的质量控制流程，确保批次一致性与长期可靠性。器件无铅且符合RoHS指令，支持绿色环保设计理念。综合来看，UCY2G100MPD1TD是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于追求高效、紧凑和稳定电源解决方案的设计需求。

UCY2G100MPD1TD广泛应用于各类中低电压电源管理系统中。在同步整流型DC-DC转换器中，该器件可作为上管或下管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率，尤其是在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源模块中表现优异。由于其P沟道特性，作为高端开关时无需额外的自举电路或电平移位器，简化了驱动设计，降低了系统成本和复杂度。
　　在电池供电系统中，该MOSFET常被用作电池隔离开关或负载开关，用于控制主电源与备用电源之间的切换，或在待机模式下切断非关键负载以节省能耗。其低静态电流和快速响应能力使其非常适合于电池管理系统（BMS）和电源路径管理单元。
　　在电机驱动应用中，UCY2G100MPD1TD可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的高端开关元件，提供高效的电流控制和良好的热稳定性。此外，它也适用于热插拔控制器、OR-ing二极管替代电路以及冗余电源切换系统，利用其低正向压降替代传统肖特基二极管，减少功耗并提升系统效率。
　　在工业控制和通信设备中，该器件可用于电压调节模块（VRM）、现场可编程门阵列（FPGA）供电电路以及服务器电源管理单元，满足对高可靠性与紧凑设计的需求。其宽温度范围和高抗扰能力也使其适用于汽车电子中的辅助电源系统（尽管不为AEC-Q101认证，故不推荐用于关键车载应用）。
　　总体而言，UCY2G100MPD1TD凭借其优异的电气与热性能，成为多种现代电子系统中理想的功率开关选择，尤其适用于那些对效率、尺寸和热管理有较高要求的应用场景。

Si7681DP-T1-GE3
　　AO4481
　　FDS6680A
　　NTR4101P