时间：2025/10/8 4:12:46
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UCS2W100MHD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSC）推出的高性能碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的电力电子应用设计。该器件采用先进的碳化硅材料技术，具备出色的热性能和电气特性，能够在高温、高压环境下稳定运行。UCS2W100MHD的额定电压为1200V，平均正向电流为10A，适用于工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）以及各类开关电源拓扑中。作为一款无反向恢复电荷的肖特基二极管，它显著降低了开关损耗，提升了系统整体能效。该器件封装于行业标准的TO-247-2L封装中，便于散热设计与模块集成，具备良好的热传导能力和机械稳定性。UCS2W100MHD符合RoHS环保要求，并具备高抗浪涌能力，适合在严苛工作条件下长期使用。其低正向导通压降和优异的温度稳定性使其成为替代传统硅基快恢复二极管的理想选择，在高频硬开关和软开关电路中表现出色。此外，该器件对dv/dt噪声具有较强的耐受能力，有助于提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
型号：UCS2W100MHD
器件类型：碳化硅肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
正向压降（VF）：典型值1.5V @ 10A, 25°C
最大瞬态正向电流（IFSM）：80A @ 60Hz半波
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
反向漏电流（IR）：≤ 250μA @ 1200V, 25°C；≤ 3mA @ 1200V, 150°C
热阻结到壳（RθJC）：约2.5°C/W
封装形式：TO-247-2L
安装方式：通孔安装
UCS2W100MHD的核心优势在于其采用的碳化硅（SiC）半导体材料，这种宽禁带材料赋予了器件卓越的电学性能。相较于传统的硅基PIN二极管，SiC肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而彻底消除了反向恢复过程中的能量损耗和电流尖峰现象。这一特性在高频开关电源和逆变器中尤为重要，能够显著降低主开关器件（如IGBT或MOSFET）的开通损耗，提高系统转换效率，并减少电磁干扰（EMI）。此外，由于没有反向恢复行为，该器件在并联使用时无需担心电流不平衡问题，提高了系统设计的灵活性。
该器件具有极低的正向导通压降（VF），在额定电流10A下仅为约1.5V，远低于同等电压等级的硅二极管，进一步降低了导通损耗。同时，其正向压降随温度变化较小，表现出良好的温度稳定性，确保在高温工况下仍能保持高效运行。UCS2W100MHD可在高达+175°C的结温下持续工作，适合在高温环境中应用，减少了对复杂冷却系统的需求。其低漏电流特性在常温及高温下均表现优异，有效防止静态功耗过高问题。
TO-247-2L封装提供了良好的热传导路径，便于连接散热器，实现高效散热。该封装结构成熟可靠，广泛应用于功率模块和分立器件中，具备优良的机械强度和电气绝缘性能。器件还具备高浪涌电流承受能力，可应对短时过载工况，增强了系统的鲁棒性。整体上，UCS2W100MHD通过材料创新与结构优化，在效率、可靠性与热管理方面实现了全面突破，是现代高功率密度电源系统的关键组件之一。
UCS2W100MHD广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。在光伏（PV）太阳能逆变器中，该器件常用于DC-DC升压级或DC-AC逆变桥臂的续流支路，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提升逆变效率，尤其在MPPT追踪和夜间待机模式下节能效果显著。在电动汽车（EV）和充电桩领域，UCS2W100MHD可用于车载充电机（OBC）和直流快充模块中的整流与续流环节，支持高功率密度设计并提升充电效率。在工业电机驱动系统中，该二极管作为IGBT模块的续流二极管，可大幅降低换流过程中的能量损耗，延长设备寿命。
在服务器电源、通信电源和高端计算机电源（如80 PLUS钛金认证电源）中，UCS2W100MHD被用于PFC（功率因数校正）电路，特别是在临界导通模式（CrM）或连续导通模式（CCM）Boost PFC拓扑中，其快速响应和低损耗特性有助于实现高功率因数和低总谐波失真（THD）。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、焊接电源、感应加热设备和高密度DC-DC转换器等场合。由于其优异的高温性能和可靠性，UCS2W100MHD特别适合部署在空间受限、散热条件有限或环境温度较高的应用场景中，助力实现更紧凑、更高效的电源设计方案。
UC3D10120K3, SCT30N120, C4D10120D
