类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：16A
　　最大正向压降（VF）：1.7V @ 16A, 25°C
　　反向漏电流（IR）：10μA @ 25°C, 650V；100μA @ 150°C, 650V
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　浪涌电流能力（IFSM）：180A @ 8.3ms 半正弦波
　　热阻结到壳（RθJC）：1.2°C/W
　　封装形式：TO-220AC

UCR316CM的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料构建的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了传统PN结二极管中存在的少子存储效应，因此该器件在关断过程中几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），也不会产生反向恢复电流尖峰。这一特性极大地降低了与之配合工作的开关器件（如MOSFET或IGBT）的开关损耗，特别是在高频软开关拓扑（如LLC谐振变换器或连续导通模式PFC）中表现尤为突出。由于没有反向恢复带来的电流应力，系统的电磁干扰水平显著下降，有助于简化EMI滤波器设计并提升系统可靠性。
　　在导通特性方面，UCR316CM在额定电流16A下典型正向压降仅为1.55V左右，在高温工况下仍保持较低的VF值，相比硅基FRD具有更优的导通损耗表现。同时，其正温度系数的VF特性有利于多管并联时的电流均衡，提高了并联使用的可行性与稳定性。得益于SiC材料宽禁带特性，该器件可在高达175°C的结温下长期稳定运行，远高于传统硅器件的150°C限制，这使得其在高温环境下仍能保持优异性能，减少了对强制风冷等复杂散热手段的依赖，有助于实现紧凑型高功率密度电源设计。
　　UCR316CM还具备出色的动态稳健性，能够承受较高的dv/dt应力而不发生误导通，并且具有较强的抗浪涌电流能力，短时浪涌可达180A，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。TO-220AC封装不仅提供了良好的电气隔离性能，还通过底部金属背板实现高效的热传导路径，便于与散热器直接接触进行散热。此外，该器件符合RoHS环保要求，不含铅和有害物质，适用于工业级和部分汽车级应用场景。

UCR316CM主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力转换系统中。典型应用包括通信电源和服务器电源中的有源功率因数校正（PFC）电路，作为升压二极管使用，利用其零反向恢复特性来降低主开关管的开通损耗，提升整机能效至80 PLUS钛金等级。在光伏发电系统中，该器件可用于组串式或微型逆变器的直流侧续流或防反二极管，凭借其高温耐受能力和低导通损耗，提高系统在户外高温环境下的长期运行稳定性。在电动汽车领域，UCR316CM常见于车载充电机（OBC）的次级整流或辅助电源PFC阶段，帮助实现轻量化和小型化设计。此外，该器件也广泛用于工业电机驱动器的制动单元、UPS不间断电源的整流/续流回路、高密度DC-DC变换器以及感应加热电源等场合。由于其优异的开关性能和热管理能力，UCR316CM特别适合工作频率在50kHz以上、功率等级在1kW至3kW之间的中等功率电源系统，是替代传统硅快恢复二极管的理想选择。

CREE C4D15120D
　　ON Semiconductor FFSH1665B
　　Infineon IDW16S65C
　　Microchip MSC016S65B
　　STMicroelectronics STPSC16H065Y