电容：220μF
　　额定电压：4V DC
　　温度特性：X5R
　　电容公差：±20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3225）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　厚度：最大1.6mm
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　端子类型：镍阻挡层 / 锡外涂层
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　失效率：标准
　　直流偏压特性：在4V偏压下典型电容保持率约50%-70%（取决于具体批次）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
　　纹波电流能力：依据应用条件变化，需参考数据手册
　　抗焊接热：符合IEC 61249-2-21标准
　　耐久性：在额定电压和85°C环境下持续工作1000小时后，电容变化不超过初始值的-15%到+25%范围

UCD1E221MNL1GS 作为一款高性能多层陶瓷电容器，具备多项关键特性以满足现代电子系统对高可靠性与小型化的需求。首先，其采用X5R类电介质材料，确保了在宽温度范围内（-55°C至+85°C）电容值的稳定性，偏差控制在±15%以内，这对于电源轨去耦和信号滤波至关重要。尽管实际电容会随施加的直流偏压显著下降——例如在接近4V额定电压时可能降至标称值的50%-70%，但通过优化内部电极结构和介质层厚度，三星实现了在有限体积内尽可能高的有效电容。
　　其次，该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频噪声抑制方面表现优异，远优于传统的电解或钽电容。这使得它非常适合用于开关电源（如DC-DC转换器）的输入和输出端滤波，能有效减少电压纹波并提升瞬态响应能力。
　　再者，UCD1E221MNL1GS 采用1210（3225）封装，在提供较高电容的同时仍保持相对紧凑的占位面积，便于在高密度PCB布局中集成。其端电极为三层电极结构（Cu/Ni/Sn），增强了焊接可靠性和抗机械应力能力，降低因热循环或板弯导致的开裂风险。此外，产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TCL）和耐久性试验，确保长期运行稳定性。
　　最后，该电容器符合RoHS和REACH环保指令，不含铅、镉等有害物质，并支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线。这些综合特性使UCD1E221MNL1GS 成为高端消费类电子和工业控制领域中理想的高容量陶瓷电容解决方案。

UCD1E221MNL1GS 主要应用于需要高电容密度和良好高频性能的电子电路中。典型应用场景包括移动通信设备中的电源去耦，例如智能手机和平板电脑的处理器核心供电网络（PDN），用于平滑动态负载引起的电压波动。在DC-DC降压或升压转换器中，该电容常被用作输入滤波电容以吸收开关噪声，同时也可作为输出滤波元件来降低输出电压纹波，提高电源效率与稳定性。此外，在电池管理系统（BMS）、可穿戴设备和物联网终端中，由于空间限制严格且对可靠性要求高，该器件因其小型化和高可靠性而被广泛采用。
　　在数字逻辑电路中，如FPGA、ASIC 和高速微控制器的电源引脚附近，UCD1E221MNL1GS 可提供局部储能功能，应对快速电流瞬变，防止电压跌落影响系统正常运行。它也适用于音频放大器、传感器模块和射频前端电路中的旁路应用，以抑制高频干扰并提升信号完整性。
　　工业电子设备如嵌入式控制器、PLC 模块和便携式医疗仪器同样受益于该电容器的小型化与长寿命特性。相比传统的电解电容，MLCC 不会发生干涸或老化问题，因此更适合长期运行的应用场景。总之，凡是在有限空间内需要大容量、低ESR、高稳定性的去耦或滤波功能的场合，UCD1E221MNL1GS 都是一个理想选择。

GRM32ER7YA422MEG5L
　　C3225X5R1E226M160AC
　　CL32E226MQHNNTTS
　　EMK3225BBJ4D226ML-T