类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：200V
　　连续漏极电流（Id）：4.6A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：18.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　栅极电荷（Qg）：27nC @ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：400pF @ Vds=25V
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45ns
　　反向恢复时间（trr）：48ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220AB

IRFU13N20的特性主要体现在其出色的电气性能和可靠性设计上。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为1.3Ω，在Vgs=10V条件下能够显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的能效。这对于需要长时间运行或对温升敏感的应用尤为重要。其次，其200V的漏源击穿电压使其适用于多种中高压直流电源系统，例如离线式AC-DC电源、LED驱动电源以及太阳能逆变器等场景。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为27nC，这一数值在同类产品中处于较低水平，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而支持更高的开关频率操作。这使得IRFU13N20非常适合用于高频开关电源设计，尤其是在追求小型化和高效率的现代电源拓扑中，如反激式（Flyback）和正激式（Forward）转换器。
　　另一个关键特性是其优异的开关动态表现。开启延迟时间约为10ns，而关断延迟时间为45ns，配合较小的输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），可实现快速且干净的开关动作，减少开关过程中的交越损耗。同时，其反向恢复时间（trr）为48ns，表明体二极管的恢复行为较为理想，有助于降低在感性负载切换时产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
　　从可靠性角度来看，IRFU13N20具备较强的雪崩耐量，能够在非钳位电感开关（UIS）测试中承受一定的能量冲击，提升了在异常工况下的鲁棒性。此外，其最大结温可达+150°C，并采用TO-220封装，具有良好散热能力，适合在高温环境中稳定运行。综合来看，IRFU13N20是一款兼顾性能、效率与可靠性的中压N沟道MOSFET，适用于广泛的工业和消费类功率应用。

IRFU13N20广泛应用于各类中高压功率转换系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在离线式反激变换器中作为主开关器件，适用于适配器、充电器和小型电源模块。此外，它也常用于DC-DC升压或降压转换器中，尤其在输入电压较高（如48V系统）的应用中表现出色。在电机驱动领域，该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供高效的功率控制。
　　在照明应用方面，IRFU13N20可用于LED恒流驱动电源的设计，特别是在需要隔离式拓扑结构的方案中，能够有效提升能效和系统稳定性。同时，由于其具备良好的热性能和过载承受能力，也被用于UPS（不间断电源）、逆变器和太阳能微逆系统中，作为核心开关元件参与能量转换过程。
　　工业控制设备中，该器件可用于继电器替代、固态开关和电源管理模块，实现无触点控制，延长设备寿命。另外，在电信电源系统和电池管理系统（BMS）中，IRFU13N20也可作为负载开关或保护开关使用，提供快速响应和低功耗控制。总的来说，其应用覆盖消费电子、工业自动化、通信基础设施和绿色能源等多个领域。

SPW20N20-14\SPW20N20-14