UCC5350MCDR 时间：2025/7/16 17:24:34 阅读：31

UCC5350MCDR 是一款由 Texas Instruments（德州仪器）生产的高性能、双通道、高速栅极驱动器 IC，专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT（绝缘栅双极晶体管）而设计。该芯片采用 8 引脚 SOIC 封装，具备高驱动能力和良好的抗噪性能，适用于多种功率转换应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、电源逆变器和工业自动化系统等。UCC5350MCDR 提供了出色的短路保护功能和欠压锁定（UVLO）功能，确保功率器件在恶劣条件下安全运行。

参数

类型：双通道栅极驱动器
　　工作电压（VDD）：4.5V 至 25V
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL 兼容
　　输出驱动电流（峰值）：±5A（典型值）
　　传播延迟时间：27ns（典型值）
　　输出上升/下降时间：5ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：8 引脚 SOIC

特性

UCC5350MCDR 拥有出色的电气特性和可靠性，适用于高功率和高频应用。其核心特性之一是宽工作电压范围（4.5V 至 25V），使其适用于多种电源架构。该器件的输入逻辑兼容 CMOS 和 TTL 电平，便于与控制器（如 DSP 或 MCU）连接。其高驱动电流能力（±5A 峰值电流）确保能够快速驱动大功率 MOSFET 和 IGBT，从而减少开关损耗并提高系统效率。
　　此外，UCC5350MCDR 具有极短的传播延迟（27ns 典型值）和快速的上升/下降时间（5ns），这对于高频开关应用尤为重要。其输出结构采用非反相设计，确保输入信号与输出驱动一致，避免误操作。该芯片还内置欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止功率器件在低效或危险状态下运行。
　　在保护功能方面，UCC5350MCDR 提供了强大的抗干扰能力，能够有效抑制来自功率级的噪声干扰，确保信号传输的稳定性。其 SOIC 封装具有良好的热性能，适用于高功率密度设计。整体来看，UCC5350MCDR 是一款性能优异、稳定可靠的栅极驱动器，适用于广泛的工业和电源管理系统。

应用

UCC5350MCDR 主要应用于需要高速驱动和高可靠性的功率电子系统中。其典型应用包括 DC-DC 转换器、电机控制、功率因数校正（PFC）电路、光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关控制。由于其高驱动能力和良好的保护功能，UCC5350MCDR 也常用于电动汽车充电系统和储能系统中的功率管理模块。