类型：增强型氮化镓场效应晶体管（GaN FET）
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：19mΩ
　　栅极电荷（QG）：23nC
　　反向恢复电荷（Qrr）：0
　　封装类型：表面贴装（SMD），HZIP-8L
　　工作温度范围：-55°C至150°C

CSD10120A具有多项卓越特性，首先是其基于氮化镓材料的宽禁带半导体技术，使其在高频开关应用中表现优异，显著降低开关损耗并提升系统效率。其19mΩ的超低导通电阻确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗。
　　该器件支持高达120A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计，同时具备650V的漏源电压耐受能力，能够满足高电压应用场景的需求。此外，CSD10120A具备零反向恢复电荷（Qrr），有效减少硬开关电路中的能量损耗，提高系统稳定性并降低电磁干扰（EMI）。
　　其快速开关特性（如低栅极电荷QG为23nC）使器件能够在MHz级开关频率下高效运行，从而支持更小尺寸的磁性元件和电容，减小整体电源体积。HZIP-8L封装设计提供优良的散热性能，并支持双面散热，进一步优化热管理能力，延长器件使用寿命。
　　内置的栅极驱动保护机制，包括欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）等功能，提升器件在复杂工况下的可靠性。CSD10120A还支持并联使用，以满足更高功率需求的设计。这些特性使其成为服务器电源、通信电源、电动汽车充电系统、光伏逆变器和工业电源等高性能应用的理想选择。

CSD10120A主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关的电力电子系统中。典型应用包括服务器和电信电源系统、直流-直流转换器、图腾柱无桥功率因数校正（PFC）拓扑、LLC谐振转换器、车载充电器（OBC）以及光伏逆变器等。
　　在服务器电源中，CSD10120A能够显著提高电源转换效率，降低散热需求，从而提升整体系统能效比（TEP）。在图腾柱PFC拓扑中，该器件的零反向恢复电荷特性可有效降低开关损耗，提升功率密度和系统稳定性。在电动汽车充电设备中，CSD10120A的高耐压能力和快速开关性能使其适用于高效能、紧凑型充电模块的设计。
　　此外，该器件也适用于高频感应加热、激光电源、UPS不间断电源以及储能系统等高端工业应用，满足对高可靠性与高效率的严苛要求。

GaN Systems GS66508B, EPC2218, Transphorm TP65H035WS