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UCC27624DR 发布时间 时间:2024/4/1 17:38:35 查看 阅读:116

UCC27624DR是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。UCC27624的典型峰值驱动强度为5A,这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟(典型值为17ns),可改善系统的死区时间优化、控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。

UCC27624DR可在输入端处理–10V的电压,通过平缓的接地反弹提高系统稳健性。输入与电源电压无关,可以连接大多数控制器输出端,从而最大限度地提高控制灵活性。独立的使能信号支持在不依赖主控制逻辑的情况下对功率级进行控制。发生系统故障时,栅极驱动器可以通过拉低使能端来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极都存在噪音,这种噪音会进入栅极驱动器的输出引脚,造成驱动器故障。该器件凭借其瞬态反向电流和反向电压能力,能够承受功率器件或脉冲变压器的栅极噪声,并避免驱动器故障。UCC27624DR还具有欠压锁定(UVLO)功能,可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来全面增强功率器件时,强大的内部下拉MOSFET使栅极驱动器输出保持在低电平。


基础介绍

  厂商型号:UCC27624DR

  品牌名称:TI(德州仪器)

  元件类别:栅极驱动IC

  封装规格:8-SOIC

  型号介绍:5A/5A 双通道栅极驱动器

产品描述

特点

  · 每个通道具有 5A 的典型峰值拉取和灌入驱动电流

  · 输入和使能引脚能够处理 –10V 的电压

  · 输出端能够处理 –2V 的瞬态电压

  · 绝对最大 VDD 电压:30V

  · 宽 VDD 工作电压范围:4.5V 至 26V,具有 UVLO 功能

  · 具有两个独立的栅极驱动通道

  · 针对每个输出提供独立的使能功能

  · 可实现高抗噪性的迟滞逻辑阈值

  · VDD 独立输入阈值(兼容 TTL)

  · 快速传播延迟(典型值为 17ns)

  · 快速上升和下降时间(典型值为 6ns 和 10ns)

  · 两个通道之间的延迟匹配时间典型值为 1 ns

  · 可将两个通道并联以获得更高的驱动电流

  · SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD? 封装选项

  · 工作结温范围:–40°C 至 150°C

中文参数

商品分类栅极驱动IC品牌TI(德州仪器)
封装8-SOIC包装整包装
电压-供电4.5V~26V工作温度-40°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装型基本产品编号UCC27624
HTSUS8542.39.0001驱动配置低端
通道类型独立式驱动器数2
栅极类型N沟道MOSFET逻辑电压-VIL,VIH1.2V,1.8V
电流-峰值输出(灌入,拉出)5A,5A输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)6ns,10ns产品应用汽车级

环境与出口分类

RoHS状态符合ROHS3规范湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
ECCNEAR99


原理图

UCC27624DR原理图

UCC27624DR原理图

引脚

UCC27624DR原理图

UCC27624DR引脚图

封装

UCC27624DR封装图

UCC27624DR封装

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UCC27624DR图片

UCC27624DR

UCC27624DR参数

  • 现有数量1,981现货
  • 价格1 : ¥11.05000剪切带(CT)2,500 : ¥5.00844卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置低端
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电4.5V ~ 26V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH1.2V,1.8V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)5A,5A
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)6ns,10ns
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC