型号：CL321611T-47NM-N
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　封装/尺寸：3216 (1206)
　　电容值：4.7nF (4700pF)
　　容差：±30%
　　介质材料：X7R
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C ~ +125°C)
　　产品类型：多层陶瓷电容器 (MLCC)
　　安装方式：表面贴装 (SMD)
　　端接类型：镍/锡 (Ni-Sn) 外电极
　　无铅：是
　　符合RoHS：是

CL321611T-47NM-N所采用的X7R陶瓷介质赋予了其优异的温度稳定性和电容保持能力。在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，电容值的变化不会超过±15%，这使其非常适合用于对稳定性有较高要求的应用场景。相较于Y5V等其他介质类型，X7R材料虽然单位体积的介电常数较低，但其在整个温度区间内表现出更线性、更可预测的电容响应，避免了极端温度下电容大幅衰减的问题。这种特性使得该电容器在电源去耦网络中表现尤为出色，能够有效抑制因温度变化引起的噪声波动，保障系统的稳定运行。
　　该电容器的结构采用多层叠层工艺，内部由数十甚至上百层陶瓷介质与金属电极交替堆叠而成，从而在有限的封装尺寸内实现较高的电容密度。尽管其标称电容为4.7nF，在同类3216封装产品中属于中等偏高水平，但其容差为±30%，说明实际电容值可能在3.29nF至6.11nF之间波动。这一较大的容差通常与其使用的X7R材料以及高容积效率的设计目标有关。尽管如此，在大多数非精密滤波或旁路应用中，这种容差是可以接受的。此外，由于其低ESR和低ESL特性，该器件在高频条件下仍能保持良好的阻抗特性，能够快速响应瞬态电流变化，适用于高速数字电路中的局部去耦。
　　CL321611T-47NM-N具备良好的机械强度和热循环耐受能力，能够在回流焊过程中承受高达260°C的峰值温度而不损坏。其端电极为镍/锡双层结构，提供了优良的可焊性和长期可靠性，适合自动化SMT生产线使用。同时，该器件不含铅和其他有害物质，符合欧盟RoHS指令要求，适用于出口型电子产品和绿色制造体系。在长期工作条件下，其绝缘电阻高，漏电流极小，有助于提升整体系统的能效和安全性。

CL321611T-47NM-N广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要稳定电容性能和宽温工作的场合。在电源管理电路中，它常被用作输入/输出滤波电容，配合稳压器（如LDO或DC-DC转换器）使用，以平滑电压波动并抑制高频噪声。在高速数字系统（如微处理器、FPGA或ASIC）的供电网络中，该电容器作为去耦电容布置在芯片电源引脚附近，有效降低电源阻抗，吸收瞬态电流尖峰，防止电压跌落导致系统误操作。
　　在模拟信号处理电路中，该器件可用于交流耦合、级间耦合和旁路应用，特别是在音频放大器、传感器接口和数据采集系统中，其稳定的电容值有助于保持信号完整性。此外，在射频（RF）电路中，虽然其并非专为高频谐振设计，但仍可用于低频段的偏置电路滤波或阻抗匹配网络中的辅助元件。
　　由于其符合工业级温度要求，该电容器也被广泛应用于工业控制设备、汽车电子模块（如ECU、车载信息娱乐系统）、网络通信设备（如路由器、交换机）以及消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备）中。在这些应用中，小型化、高可靠性和自动化装配兼容性是关键需求，而CL321611T-47NM-N恰好满足这些条件。

CL3216K1H472M