时间：2024/4/1 18:00:42
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UCC27517DBVR单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关。UCC27517DBVR采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。当VDD=12V时，UCC27517DBVR可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。
UCC27517DBVR具有4.5V至18V的宽VDD范围，以及40°C至140°C的宽温度范围。VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可在超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行，并且拥有同类产品中较好的开关特性，因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
UCC27517DBVR特有双输入设计，同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN+引脚)配置。IN+引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑，输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时，确保输出被保持在低电平。因此，未使用的输入引脚不能保留在悬空状态而必须被适当的偏置，以确保驱动器输出被使能用于正常运行。UCC27517DBVR器件的输入引脚阈值是基于TTL和COMS兼容低压逻辑电路的，此逻辑电路是固定的且与VDD电源电压无关。 UCC27517DBVR器件的输入脚阈值是基于TTL和CMOS兼容的低压逻辑，该逻辑是固定的，与VDD电源电压无关。高阈值和低阈值之间的宽迟滞提供了优良的抗噪声能力。
| 商品分类 | 栅极驱动IC | 驱动配置 | 低端 |
| 品牌 | TI(德州仪器) | 通道类型 | 单路 |
| 封装 | SOT-23-5 | 驱动器数 | 1 |
| 包装 | 整包装 | 栅极类型 | IGBT，N 沟道 MOSFET |
| 商品标签 | 汽车级 | 逻辑电压-VIL，VIH | 1V，2.4V |
| 电压-供电 | 4.5V ~ 18V | 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 4A，4A |
| 工作温度 | -40°C ~ 140°C（TJ） | 输入类型 | 反相，非反相 |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 上升/下降时间（典型值） | 8ns，7ns |
| 基本产品编号 | UCC27517 |
| RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | ECCN | EAR99 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1（无限） | HTSUS | 8542.39.0001 |
| REACH状态 | 非 REACH 产品 |
UCC27517DBVR原理图
UCC27517DBVR引脚图
UCC27517DBVR封装
