UC3871N 时间：2025/7/26 9:17:37 阅读：4

UC3871N是一款由Texas Instruments生产的高压、高速MOSFET驱动器集成电路，专为功率转换应用设计。该芯片能够在高频率下运行，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要高效MOSFET驱动的场合。UC3871N具有独立的高边和低边驱动器，适用于半桥和全桥拓扑结构。其设计允许在高压环境中稳定工作，具备较强的抗干扰能力和可靠性。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　封装类型：DIP-16
　　工作电压范围：10V至20V
　　输出电流：典型值1.5A（峰值）
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　高压侧浮动电源电压：最高150V
　　传播延迟：约100ns
　　上升/下降时间：约15ns
　　最大工作频率：1MHz以上

特性

UC3871N的核心特性之一是其高压侧浮动电源设计，能够支持高达150V的工作电压，使其适用于高压功率转换系统。该芯片采用高速驱动技术，具备快速的上升和下降时间，通常在15ns左右，确保了在高频开关应用中的高效性能。UC3871N还集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时产生不稳定的驱动信号，从而保护功率器件。此外，该芯片具有低静态电流消耗，能够在轻载或待机状态下有效降低功耗。其输出驱动能力较强，可直接驱动大功率MOSFET器件。芯片内部还集成了交叉传导保护机制，防止上下桥臂同时导通造成的短路风险，提高系统的稳定性与安全性。另外，UC3871N具有良好的抗噪声干扰能力，适应于工业和汽车等复杂电磁环境下的应用。

应用

UC3871N广泛应用于各类功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器、UPS系统、电池充电器以及工业自动化设备。其高压侧浮动电源设计使其特别适用于半桥和全桥拓扑结构的功率转换电路。在电动汽车和可再生能源系统中，UC3871N也常用于控制高电压功率MOSFET或IGBT器件，实现高效的能量转换。由于其高频率工作能力和快速响应特性，该芯片在高频逆变器和谐振变换器中也有良好的表现。此外，在需要高可靠性和高效率的工业电源系统中，UC3871N常被用作主功率开关的驱动器。