时间：2025/5/20 20:19:53
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GA1812A560GBHAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等电力电子设备中。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。
其封装形式为 TO-247，适合高电流密度的应用场景，并具备良好的散热性能。
型号：GA1812A560GBHAT31G
类型：N-Channel Power MOSFET
Vds（漏源极电压）：600V
Rds(on)（导通电阻）：0.056Ω
Id（持续漏极电流）：12A
Qg（栅极电荷）：70nC
fmax（最大工作频率）：100kHz
封装：TO-247
GA1812A560GBHAT31G 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，可承受高达 600V 的漏源极电压，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 0.056Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度，支持高达 100kHz 的工作频率，满足高频应用需求。
4. 先进的沟槽式 MOSFET 结构设计，提升了电流处理能力和可靠性。
5. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，适应现代绿色电子产品的需求。
GA1812A560GBHAT31G 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，适用于工业控制中的变频器和伺服驱动器。
3. DC-DC 转换器，用于电动汽车和新能源设备中的高效能量转换。
4. UPS 不间断电源系统，提供稳定可靠的后备电源解决方案。
5. LED 驱动器，确保高亮度照明系统的高效运行。
IRFP460,
STP12NK60Z,
FDP12N60,
IXFN12N60T2
