UC1709J 时间：2025/5/22 21:31:48 阅读：15

UC1709J是一款单通道N沟道功率MOSFET，主要应用于需要高效率、低导通电阻的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于开关电源、电机驱动、负载开关等应用领域。
　　UC1709J具备良好的热性能和电气特性，使其在各种电子电路中能够实现高效且稳定的运行。

参数

型号：UC1709J
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ(典型值，Vgs=10V)
　　总功耗(Ptot)：180W
　　结温范围(Tj)：-55℃ to 150℃
　　封装形式：TO-220

特性

UC1709J的主要特性包括：
　　1. 高电流承载能力，支持高达30A的连续漏极电流。
　　2. 极低的导通电阻，典型值为4.5mΩ，有助于减少功率损耗。
　　3. 宽电压工作范围，最大漏源电压可达60V。
　　4. 快速开关速度，适合高频开关应用。
　　5. 强大的热性能，能够在较高温度范围内稳定工作。
　　6. 符合RoHS标准，环保设计。
　　这些特性使UC1709J成为各类功率转换和控制应用的理想选择。

应用

UC1709J广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
　　2. 直流电机驱动及控制。
　　3. 各类负载开关和保护电路。
　　4. 电池管理系统(BMS)中的功率管理。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　其出色的电气特性和可靠性使得该器件在众多高性能要求的应用场合中表现出色。