时间：2025/10/6 23:32:10
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UBX1V100MPL 是由 ROHM Semiconductor 生产的一款肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），专为高频、高效率的开关应用设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装（PL package，即P-LSON-3），适用于对空间要求严格的便携式电子设备和高密度电路板布局。作为一款单通道肖特基二极管，UBX1V100MPL 具有低正向压降（VF）和快速反向恢复特性，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体电源转换效率。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电系统以及各种需要高效整流或防止反向电流的应用场景。其最大重复反向电压（VRRM）为 100V，表明其适合中等电压级别的功率管理应用。此外，UBX1V100MPL 符合 AEC-Q101 汽车级可靠性标准，使其在车载电子系统中也具备良好的适用性，如车身控制模块、信息娱乐系统和辅助电源单元等。该器件还具有出色的热稳定性和抗浪涌能力，能够在高温环境下长期稳定运行。ROHM 提供全面的技术支持和详细的数据手册，帮助工程师快速完成选型与设计导入。
类型：肖特基势垒二极管
通道数：1
最大重复反向电压 VRRM：100V
最大正向电流 IF(AV)：1A
峰值脉冲正向电流 IFSM：30A
最大正向压降 VF：850mV（在 IF = 1A 条件下）
最大反向漏电流 IR：100μA（在 VR = 100V, Ta = 25°C）
反向恢复时间 trr：典型值 < 10ns
工作结温范围 TJ：-40°C 至 +150°C
存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +150°C
封装形式：PL（P-LSON-3）
安装类型：表面贴装
UBX1V100MPL 的核心优势在于其采用了 ROHM 独有的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降与快速开关响应的完美结合。在 1A 的正向电流下，其最大 VF 值仅为 850mV，远低于传统硅 PN 结二极管，这直接降低了导通期间的能量损耗，提升了系统的能效表现。尤其在高频率开关电源中，这种低 VF 特性有助于减少发热，提高功率密度。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的储存电荷问题，因此其反向恢复时间 trr 极短，通常小于 10ns，几乎可以忽略不计。这一特性有效抑制了开关过程中的反向恢复电流尖峰，减少了电磁干扰（EMI）并避免了因反向恢复引起的额外功耗，特别适合用于同步整流、续流二极管和高频 DC-DC 变换器拓扑中。
该器件采用 PL 小型化封装（P-LSON-3），尺寸仅为 1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，极大地节省了 PCB 空间，非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品。尽管体积小巧，但其散热设计优化良好，能够通过 PCB 焊盘有效传导热量，确保在高负载条件下仍保持稳定性能。此外，UBX1V100MPL 具备高达 30A 的峰值脉冲电流承受能力，表现出优异的瞬态过载保护能力，增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。其反向漏电流在高温环境下虽有所增加，但在正常工作范围内仍处于可控水平，不会显著影响系统效率。所有这些特性共同使 UBX1V100MPL 成为现代高效、小型化电源设计中的理想选择。
UBX1V100MPL 主要应用于需要高效率和小尺寸的直流电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的 DC-DC 降压或升压转换器中的续流二极管或整流元件，例如在手机、蓝牙耳机、智能手表等设备的电源模块中发挥关键作用。它也常用于负载开关电路中，作为防止反向电流流动的隔离元件，保护主电源免受外部电压倒灌的影响。在电池供电系统中，该二极管可用于电池充放电路径的单向控制，确保能量流向正确且安全。此外，在汽车电子领域，得益于其 AEC-Q101 认证，UBX1V100MPL 被广泛用于车载信息娱乐系统、仪表盘电源、LED 照明驱动以及车身电子控制单元（ECU）中的辅助电源部分。工业控制设备、物联网节点和无线传感器网络等低功耗嵌入式系统同样受益于其高效、紧凑的设计特点。总之，任何需要快速响应、低损耗和高可靠性的整流或防反接功能的应用场景，都是 UBX1V100MPL 的适用领域。
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"SBM100M100PNL-TR",
"RB078L100SA-TR",
"SS14",
"MBR1100",
"PMG100EPN"
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