类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流反向电压（VR）：30V
　　最大正向电流（IF）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压降（VF）：0.48V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 30V
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PMDE (SOD-123FL)
　　安装方式：表面贴装
　　互连技术：引线无卤素
　　湿度敏感等级（MSL）：1级

UBW1V331MPD的核心特性之一是其低正向电压降（VF），在1A电流下典型值仅为0.48V，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它可以减少发热并延长续航时间。低VF得益于肖特基势垒结构中金属-半导体接触的设计优化，使得载流子传输更加高效。同时，该器件采用了先进的芯片工艺和材料控制技术，确保在不同负载条件下VF的一致性和稳定性。
　　另一个关键优势是其快速开关能力。作为肖特基二极管，UBW1V331MPD没有少数载流子的存储效应，因此反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计（trr < 10ns）。这使其非常适合高频开关电路，如开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助二极管以及DC-DC升压/降压转换器中的续流路径。在这些应用中，传统PN结二极管由于较长的反向恢复时间会产生较大的开关损耗和电磁干扰，而UBW1V1V331MPD则能有效避免这些问题，提升系统效率和EMI性能。
　　该器件还具备优良的热管理性能。尽管封装尺寸微小（约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），但PMDE封装通过优化内部引线框架和芯片粘接工艺，实现了较低的热阻（Rth(j-a)），有助于热量从芯片传导至PCB。结合适当的布局设计（如增加铜箔面积或使用散热焊盘），可以在持续高负载下保持较低的工作结温，从而延长器件寿命。
　　此外，UBW1V331MPD具有较强的环境适应能力，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内正常工作，满足严苛工业环境和车载电子的需求。其高浪涌电流耐受能力（30A@8.3ms）使其在面对电源启动瞬间的大电流冲击时仍能保持稳定，增强了系统的鲁棒性。最后，该器件支持自动贴片工艺，具备良好的焊接可靠性和长期老化稳定性，适用于大规模自动化生产。

UBW1V331MPD广泛应用于多种需要高效整流和快速响应的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机，它常用于电池充放电回路中的防反接保护，防止因电池误插或外部电源反接导致的电路损坏。由于其低VF特性，功耗极小，不会显著影响设备的整体能耗表现。
　　在电源管理系统中，该二极管被广泛用于DC-DC转换器的续流（freewheeling）或箝位（clamping）功能，特别是在非同步降压或升压拓扑中，作为输出端的整流元件。其快速开关特性可减少能量损失，提高转换效率，尤其适用于多相供电或高频率操作的设计。
　　在AC-DC适配器和USB充电模块中，UBW1V331MPD可用于次级侧整流环节，替代传统的快恢复二极管，以降低温升并缩小散热需求，进而实现更紧凑的产品设计。此外，在LED照明驱动电路中，它可用于防止电流倒灌，保障LED模组的安全运行。
　　工业控制领域中，该器件可用于PLC输入接口的极性保护、传感器信号调理电路中的钳位保护以及继电器驱动电路中的反电动势吸收。在汽车电子系统中，虽然其额定电压偏低限制了主电源应用，但仍可用于低电压辅助电路，如车载信息娱乐系统的电源模块或USB充电口的防护电路。
　　由于其小型化封装和高可靠性，UBW1V331MPD也非常适合用于高密度PCB布局的通信设备、智能家居控制器和物联网节点设备中，作为电源路径上的关键保护和整流元件。

RB751V40T1U
　　SS12C
　　SBM130AM
　　FDMS7682