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GA1206A152GBCBT31G 发布时间 时间:2025/5/28 20:57:28 查看 阅读:10

GA1206A152GBCBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统的效率并降低功耗。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。其封装形式和电气性能使其成为众多工业及消费类应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:6.8A
  导通电阻(典型值):15mΩ
  栅极电荷:43nC
  输入电容:1370pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-252

特性

GA1206A152GBCBT31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  5. 优异的热性能表现,确保在高温环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅工艺制造。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激式拓扑。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池保护电路。
  5. 各种工业控制及汽车电子系统中的负载开关。
  6. LED 驱动器中的功率管理单元。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP60NF06L

GA1206A152GBCBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-