时间：2025/6/14 14:14:38
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UBT26A05L03 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用了先进的制程技术，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块、负载开关以及其他需要高效能功率转换的场合。
该芯片设计上优化了栅极电荷和输出电容参数，从而有效降低开关损耗，并提升了整体效率。此外，其封装形式紧凑，能够满足现代电子设备对小型化和高效率的需求。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：26A
导通电阻（典型值）：4mΩ
栅源开启电压（典型值）：2.1V
总栅极电荷：75nC
输入电容：1580pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
UBT26A05L03 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电容，适合高频操作。
3. 高额定电流能力，可以支持高达 26A 的连续漏极电流，确保在高负载条件下的稳定性。
4. 宽广的工作温度范围，适应从极端低温到高温环境的应用需求。
5. 紧凑的封装设计，便于 PCB 布局并节省空间。
6. 高可靠性与长寿命，特别适用于工业级和消费级电子产品中的电源管理方案。
UBT26A05L03 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动控制电路。
3. 笔记本电脑和服务器的电源管理系统。
4. 电信设备中的负载开关和保护电路。
5. LED 照明驱动及调光控制。
6. 工业自动化设备中的功率转换模块。
7. 各种便携式电子产品的电池充电管理电路。
UBT26A04L03, FDP078N04, IRFZ44N
