电容值：1000pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　电介质类型：C0G (NP0)
　　封装尺寸：0805（2012 公制）
　　温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　直流偏压效应：无显著下降
　　绝缘电阻：≥50GΩ 或 R×C≥1000S
　　老化率：不适用（C0G材料无老化）
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　自谐振频率（SRF）：典型值约 1.5GHz
　　最大工作电压：50V DC
　　耐湿性：符合IEC 60068-2-67标准
　　可焊性：符合IEC 60068-2-20
　　抗热冲击：通过热循环测试
　　包装形式：卷带包装（推荐用于自动化贴片）

UBT1H102MHD所采用的C0G（NP0）电介质材料是目前最稳定的陶瓷电介质之一，能够在整个额定温度范围内（-55°C至+125°C）保持电容值的高度稳定性，温度系数仅为0±30ppm/°C，这意味着即使在极端温度条件下，电容值也不会发生显著变化。这种极高的稳定性使其成为精密模拟电路、高频振荡器和滤波器的理想选择。与X7R、Y5V等其他类型的陶瓷电容器相比，C0G材料不存在明显的电容随电压或时间老化的现象，确保了长期运行的可靠性。此外，该电容器在宽频率范围内表现出极低的介电损耗（tanδ ≤ 0.15%），这使得它在射频和微波电路中能够有效减少能量损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质和内部电极（通常为镍或铜）形成高密度电容结构，在小尺寸下实现优良的电气性能。其0805封装在空间受限的设计中提供了良好的平衡——既保证了足够的机械强度，又兼容主流贴片工艺。镍阻挡层端接技术的应用显著提升了抗硫化能力和耐焊接热性能，防止因环境中的硫化物侵入而导致的开路故障，特别适用于汽车电子和工业控制等恶劣环境。同时，端子经过锡基焊料涂层处理，确保自动贴装过程中的良好润湿性和连接可靠性。
　　UBT1H102MHD还具备出色的抗直流偏压能力，不像高介电常数材料（如X5R/X7R）那样在施加电压时出现电容大幅下降的现象。因此，在电源去耦、参考电压旁路、LC调谐电路等对电容稳定性要求极高的场合，该器件能始终保持标称性能。此外，由于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），自谐振频率较高（可达GHz级别），可在高频下仍保持容性行为，适用于GHz频段的射频匹配网络和高速数字系统的噪声抑制。整体而言，该产品结合了小型化、高性能与高可靠性，满足高端电子设备日益增长的质量需求。

UBT1H102MHD因其卓越的电气稳定性和高频性能，被广泛应用于多个高要求的技术领域。在射频和无线通信系统中，它常用于LC谐振电路、阻抗匹配网络、带通滤波器和天线调谐模块，确保信号传输的精确性和最小失真。由于其在GHz范围内的良好响应特性，该电容器也适用于Wi-Fi模块、蓝牙设备、蜂窝通信基站前端电路以及GPS接收器等高频应用场景。在精密模拟电路中，例如电压控制振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和时钟生成电路，其电容值的温度稳定性至关重要，UBT1H102MHD能够有效避免因温度波动引起的频率漂移，从而提升系统时序精度。
　　在工业自动化和测量仪器中，该器件用于高精度传感器信号调理电路、ADC/DAC参考电压旁路、有源滤波器和积分器等关键部位，确保信号链的线性度和长期稳定性。此外，在汽车电子系统中，如发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车身控制模块中，UBT1H102MHD凭借其通过AEC-Q200认证的高可靠性，能够在剧烈温度变化、振动和潮湿环境中持续稳定工作。它还常用于开关电源中的反馈环路补偿、EMI滤波和高频去耦，以提升电源效率和降低噪声干扰。在医疗电子设备、航空航天电子系统以及军事通信设备中，该电容器同样因其长寿命和高安全性而受到青睐，是保障系统正常运行的关键被动元件之一。

GRM21BR71H102KA01L
　　CC0805JRNPO9BN102
　　C1608X7R1H102K080AE
　　CL21A102JBANNNC
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