时间：2025/5/23 22:08:23
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2SB1386T100R是一种高性能的双极型晶体管（Bipolar Transistor），属于东芝公司的达林顿晶体管系列。该器件采用TO-252小型表面贴装封装，适用于各种开关和线性应用场合。它具有较高的电流增益、低饱和电压以及出色的热稳定性，非常适合用于功率放大器、电机驱动、电源管理以及其他需要高电流处理能力的场景。
达林顿晶体管结构通过将两个NPN晶体管串联连接以显著提高电流增益（hFE）。这使得2SB1386T100R能够在较小的基极驱动电流下控制较大的集电极电流，从而在许多工业和消费类电子设备中发挥重要作用。
集电极-发射极电压：80V
集电极电流：4A
功耗：2W
直流电流增益（hFE）：5000（典型值）
过渡频率：1.5MHz
存储温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-252
1. 高电流增益（hFE），适用于低输入电流驱动的应用场景。
2. 较低的饱和电压，有助于减少功率损耗并提升效率。
3. 采用小型表面贴装封装（TO-252），便于实现高密度PCB设计。
4. 工作温度范围广，适合恶劣环境下的使用。
5. 稳定性好，能够承受一定的电气和热冲击。
1. 功率放大器电路中的开关元件。
2. 直流电机或步进电机驱动中的功率级晶体管。
3. 各种家用电器及工业自动化设备中的负载切换。
4. LED驱动电路中的电流调节组件。
5. 开关电源（SMPS）中的驱动晶体管。
6. 继电器驱动和电磁阀控制等需要高电流处理能力的场景。
2SD1386T100R, DTC1386T100R
