时间：2025/6/27 7:51:31
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UBQ10A05L04-R0.4 是一种低阻抗、高性能的功率MOSFET芯片，适用于需要高效能和低导通损耗的应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和耐热性能，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及其他电力电子领域。
型号：UBQ10A05L04-R0.4
类型：N-Channel MOSFET
额定电压：30V
额定电流：20A
Rds(on)（最大）：0.4mΩ
栅极电荷：16nC
连续漏极电流：20A
功耗：20W
封装形式：LFPAK8
工作温度范围：-55°C to +175°C
UBQ10A05L04-R0.4的主要特点是其超低的导通电阻（Rds(on)），仅为0.4mΩ，能够显著降低传导损耗，提升整体效率。
此外，它还具备快速的开关速度，可以有效减少开关损耗，提高系统的工作频率。
器件采用LFPAK8封装，这种封装方式具有较低的寄生电感和优异的散热性能，非常适合高频和高功率密度的应用。
同时，UBQ10A05L04-R0.4支持宽范围的工作温度，能够在极端环境下保持稳定运行。
UBQ10A05L04-R0.4常用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
- DC-DC转换器
- 开关电源(SMPS)
- 汽车电子中的负载开关
- 电池保护电路
- 高效电机驱动
- 工业控制系统的功率模块
由于其高效的导通特性和耐高温能力，该器件特别适合在高功率密度和高频切换的应用场景下使用。
UBQ10A05L04-R0.5
IRF1405Z
FDP15A60NZ
