类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：200 V
　　最大漏极电流 (Id)：90 A（在 25°C 下）
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 4.7 mΩ（在 Vgs=10V）
　　栅极电荷 (Qg)：约 140 nC
　　最大功耗 (Ptot)：约 350 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

IXFA90N20X3 TRL 的主要特性之一是其极低的 Rds(on) 值，这使得该器件在大电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件采用了 Infineon 的 OptiMOS? 技术，优化了硅片结构，从而在高频开关应用中表现出更低的开关损耗。
　　该 MOSFET 还具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其高电流承载能力和耐高温特性使其非常适合用于高功率密度设计。此外，IXFA90N20X3 TRL 提供了较高的可靠性和较长的使用寿命，适合在严苛的工业和汽车应用中使用。
　　在封装方面，该器件采用了小型化且高效的封装形式，有助于减少 PCB 占用空间并简化散热设计。这种封装方式还支持高功率密度和良好的热管理，使其在高频率开关电路中表现优异。
　　该器件的栅极驱动要求较低，适合与多种类型的栅极驱动电路兼容，从而简化了设计和集成过程。其快速开关能力使其适用于高频 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动和电源管理系统等应用。

IXFA90N20X3 TRL 主要用于需要高效率、高电流能力和高频操作的功率电子系统中。典型应用包括服务器电源、电信电源、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动汽车（EV）充电系统等。
　　在服务器和电信设备中，该 MOSFET 可用于提高电源模块的效率并减少热损耗。在电动汽车充电系统中，其高电流承载能力和低导通损耗特性有助于提高充电效率并减少热量产生。
　　此外，IXFA90N20X3 TRL 也可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和储能系统，提供高可靠性和高性能的功率控制解决方案。

IXFN90N20X3、IXFH90N20X3、SiC440、TPH9R00CQH