U30D20C 时间：2025/12/24 19:48:15 阅读：12

U30D20C 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用中。这款MOSFET具有高性能和可靠性，适用于高电流和高频率的操作环境。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.065Ω
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

特性

U30D20C MOSFET 具有低导通电阻，能够减少功率损耗并提高效率。其高电流容量和高电压耐受能力使其适用于多种功率电子设备。此外，该器件的封装设计有助于散热，提高了在高功率应用中的可靠性。
　　这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，能够在不同的电路设计中提供灵活性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。U30D20C 还具有良好的热稳定性和过载保护能力，适合在严苛的工作环境中使用。

应用

U30D20C MOSFET 常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和功率放大器等应用中。由于其高电流和高电压能力，它也适用于工业自动化设备、电动汽车充电器和太阳能逆变器等高功率设备。
　　在电源管理领域，U30D20C 可用于高效能电源供应器的设计，提供稳定的输出和较低的能耗。在电机控制应用中，它能够提供高效的驱动能力，确保电机运行的平稳和可靠。