时间：2025/5/23 17:11:01
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SI4947DY是由Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型DFN2020-8封装，适用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于高效能的电源管理、负载开关以及便携式电子设备中的功率转换应用。
SI4947DY的工作电压范围为-0.3V至+20V，能够在较宽的电压范围内稳定运行。其典型应用场景包括DC/DC转换器、电池供电设备、消费类电子产品等。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
栅极阈值电压：1.1V
输入电容：125pF
总功耗：420mW
工作温度范围：-55℃至+150℃
SI4947DY具有非常低的导通电阻，仅为15mΩ，这有助于减少功率损耗并提高效率。
该器件采用小型DFN2020-8封装，引脚间距小，适合高密度电路设计。
其快速开关特性能够有效降低开关损耗，并且栅极驱动要求较低，易于与逻辑电路兼容。
此外，该器件具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
由于其额定电压为20V，因此可广泛应用于低压系统中。
SI4947DY常用于以下领域：
1. DC/DC转换器中的功率开关。
2. 消费类电子产品的负载开关。
3. 电池供电设备中的功率管理模块。
4. 移动设备和其他便携式设备中的电源控制。
5. 电信和网络设备中的小型化电源解决方案。
6. 各种需要低导通电阻和快速开关特性的场合。
SI4946DY
SI444ADY
SI4949AY
