类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：600V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.68Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220AB

U10A60CI 具有多个关键特性，使其在电源管理领域备受青睐。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高电压应用，例如开关电源（SMPS）、马达控制和照明系统。其次，该器件的导通电阻较低（最大为 0.68Ω），这有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，U10A60CI 提供了良好的热稳定性和电流处理能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定性能。其 TO-220AB 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还简化了 PCB 布局和安装。此外，该器件具备较强的抗静电能力和良好的短路耐受能力，适用于各种工业环境。
　　U10A60CI 还具备快速开关特性，使其适用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器和逆变器系统。其栅极驱动电压范围较宽，支持与多种控制 IC 的兼容性，从而简化了电路设计。此外，由于其封装形式易于散热，可以配合散热片使用，以进一步提高可靠性。总的来说，U10A60CI 是一款适用于多种功率电子系统的高性价比 MOSFET 解决方案。

U10A60CI 广泛应用于多个工业和消费类电子产品中，例如开关电源（SMPS）、AC-DC 电源适配器、LED 照明驱动器、马达驱动器、电池充电器和逆变器等。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为高效电源转换系统的理想选择。在工业自动化领域，U10A60CI 可用于 PLC（可编程逻辑控制器）的输出级和继电器替代电路。此外，该器件还可用于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统，以提高能效和系统稳定性。在汽车电子领域，它也可用于车载充电系统和电机控制模块。

FQP10N60C, IRF840, STW10NK60Z, STP10NM60ND