时间：2025/6/28 13:58:10
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TZMC16-GS08/LL16V是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为低导通电阻和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽式制造工艺，能够在高频开关条件下提供卓越的性能。
其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性。适用于各类开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他功率管理场景。
型号：TZMC16-GS08/LL16V
封装：LL16V
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：8mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（持续漏极电流）：30A
Qg（栅极电荷）：25nC
fsw（最大工作频率）：1MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 具备优异的热稳定性和耐用性，可承受高负载条件下的长时间运行。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间，同时提高功率密度。
5. 内置ESD保护功能，增强器件的可靠性与抗干扰能力。
6. 符合RoHS标准，环保且适用于多种工业领域。
1. 开关电源（SMPS）设计中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 各类消费电子产品的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRFZ44N
FDP5500
AO3400
