TZMC16-GS08/LL16V是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为低导通电阻和高效率应用设计。该器件采用先进的沟槽式制造工艺,能够在高频开关条件下提供卓越的性能。
其主要特点包括低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性。适用于各类开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他功率管理场景。
型号:TZMC16-GS08/LL16V
封装:LL16V
Vds(漏源电压):40V
Rds(on)(导通电阻):8mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
Id(持续漏极电流):30A
Qg(栅极电荷):25nC
fsw(最大工作频率):1MHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻,能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用场合。
3. 具备优异的热稳定性和耐用性,可承受高负载条件下的长时间运行。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间,同时提高功率密度。
5. 内置ESD保护功能,增强器件的可靠性与抗干扰能力。
6. 符合RoHS标准,环保且适用于多种工业领域。
1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 各类消费电子产品的功率管理模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRFZ44N
FDP5500
AO3400