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HM5264165DTT-B60 发布时间 时间:2025/9/6 16:22:46 查看 阅读:5

HM5264165DTT-B60 是由Hitachi(现为Renesas Electronics)生产的一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速SRAM系列,主要用于需要高速数据存取的应用场景。其容量为256Kbit(16K x 16),采用CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问的特点。

参数

容量:256Kbit (16K x 16)
  电压范围:4.5V - 5.5V
  访问时间:60ns
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大工作频率:约16MHz
  输入/输出电压兼容性:TTL电平兼容

特性

HM5264165DTT-B60 是一款高性能的CMOS SRAM,适用于需要高速读写操作的应用。其访问时间为60纳秒,支持快速数据存取。芯片采用低功耗CMOS技术,在高速运行的同时仍能保持较低的功耗水平。该器件支持TTL电平输入和输出,便于与多种逻辑电路兼容。此外,该SRAM具有较高的抗干扰能力和稳定性,适合用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等对可靠性要求较高的场合。
  这款SRAM的TSOP封装形式有助于节省PCB空间,并提高在高密度电路板上的布局灵活性。其工作温度范围为商业级(0°C至70°C),适合大多数非极端环境下的应用。芯片的读写操作控制引脚设计合理,支持异步操作模式,使其在多种系统架构中都能灵活使用。

应用

该芯片广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的场景,如网络设备、工业控制系统、测试仪器、通信模块以及嵌入式系统中的缓存或临时数据存储单元。

替代型号

CY62167VLL-60BZC、IS61LV25616-6TL、A62D256A-60EL、EM68516B-60B

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