时间：2025/4/29 8:44:06
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TYD0GH221644RC 是一款高性能、低功耗的 CMOS 工艺静态随机存取存储器（SRAM），适用于需要高速数据访问和稳定运行的应用场景。该芯片具有快速读写能力、低功耗模式以及高可靠性，广泛用于工业控制、通信设备、消费电子等领域。
其采用 44 引脚封装，支持宽范围工作电压，并在不同温度环境下表现出优异的稳定性。
容量：2Mbit
组织结构：262,144 x 8
工作电压(Vcc)：1.7V 至 3.6V
待机电流：5μA（典型值）
工作电流：30mA（典型值）
访问时间：10ns（最大值）
封装形式：TQFP-44
工作温度范围：-40℃ 至 +85℃
1. 高速性能：提供极短的访问时间（10ns 最大值），确保快速的数据交互。
2. 低功耗设计：支持多种省电模式，如掉电保护和睡眠模式，有效降低能耗。
3. 稳定性强：能够在广泛的温度范围内正常工作，适应多种环境需求。
4. 可靠性高：内置自刷新功能，确保数据长期保存完整无误。
5. 易于使用：采用标准 CMOS 工艺制造，与各种系统兼容性强，便于集成到现有设计中。
1. 工业自动化控制：为实时控制系统提供快速可靠的数据缓存。
2. 通信设备：应用于路由器、交换机等网络设备中的数据缓冲。
3. 消费类电子产品：如数码相机、打印机等设备的临时数据存储。
4. 嵌入式系统：作为嵌入式处理器的外部存储扩展，满足复杂计算任务的需求。
5. 测试测量仪器：为高速数据采集系统提供高效的缓存解决方案。
CY62256PV30, AS6C256A-55PCN, ISSI IS61LV256AL-10B
