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2SJ245-LS 发布时间 时间:2025/9/7 2:31:13 查看 阅读:8

2SJ245-LS 是一款由东芝(Toshiba)生产的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高密度单元设计,具有较低的导通电阻和优异的高频开关性能,适用于高效率的电源转换系统。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):-200V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):-4A(@25°C)
  功耗(Pd):40W
  导通电阻(Rds(on)):≤1.4Ω(@Vgs=-10V)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SJ245-LS 的核心特性之一是其低导通电阻,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件的高耐压能力使其适用于多种高压应用场景。由于采用了先进的硅工艺技术,该MOSFET在高频开关条件下仍能保持稳定性能,减少了开关损耗。
  其TO-220封装不仅便于安装,而且具有良好的散热性能,确保器件在高负载条件下长时间稳定运行。此外,该器件具备较高的抗静电能力和热稳定性,适合在恶劣环境中使用。

应用

2SJ245-LS 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、功率放大器以及各类工业自动化设备中的功率控制电路。由于其良好的高频特性,该器件也常用于音频放大器和射频(RF)电路中作为功率开关元件。

替代型号

2SJ158, 2SJ380, IRF9540N

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