时间：2025/9/7 2:31:13
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2SJ245-LS 是一款由东芝（Toshiba）生产的P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用高密度单元设计，具有较低的导通电阻和优异的高频开关性能，适用于高效率的电源转换系统。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-200V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：-4A（@25°C）
功耗(Pd)：40W
导通电阻(Rds(on))：≤1.4Ω（@Vgs=-10V）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
2SJ245-LS 的核心特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压能力使其适用于多种高压应用场景。由于采用了先进的硅工艺技术，该MOSFET在高频开关条件下仍能保持稳定性能，减少了开关损耗。
其TO-220封装不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，确保器件在高负载条件下长时间稳定运行。此外，该器件具备较高的抗静电能力和热稳定性，适合在恶劣环境中使用。
2SJ245-LS 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器、功率放大器以及各类工业自动化设备中的功率控制电路。由于其良好的高频特性，该器件也常用于音频放大器和射频（RF）电路中作为功率开关元件。
2SJ158, 2SJ380, IRF9540N
