类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：200V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：200V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：55A（在25°C下）
　　最大功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

TY55N20E 的关键特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），通常低于20毫欧，这使其在高电流应用中具有较低的功率损耗。此外，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏极-源极额定电压为200V，能够应对高压环境下的工作需求。该器件还具有优异的热性能，TO-247封装有助于散热，从而提升整体可靠性。
　　其栅极驱动设计优化，能够在高速开关应用中提供稳定性能，降低开关损耗。此外，TY55N20E 内部集成了快速恢复二极管，有助于提高效率并减少外围元件数量。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在突发高能冲击下保持稳定工作。
　　另外，TY55N20E 在制造工艺上采用了环保材料，符合RoHS标准，适用于需要环保认证的应用场合。

TY55N20E 主要用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制模块和工业自动化系统。其高耐压和大电流能力使其非常适合用于高功率LED照明系统中的恒流驱动电路。此外，该MOSFET也常用于电动车控制器、充电设备以及太阳能逆变系统中，提供高效的电能转换方案。
　　由于其良好的热性能和高可靠性，TY55N20E 也被广泛应用于家电产品中的变频控制模块，如空调压缩机驱动和洗衣机电机控制。同时，它也可以作为负载开关用于高电压直流系统的管理电路中。

TK55A08,TY55N20