类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600 V
　　栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）：7 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：28 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.16 Ω（@10V VGS）
　　阈值电压（Vth）：3.0 ~ 4.5 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF（@25°C）
　　输出电容（Coss）：170 pF（@25°C）
　　反向恢复时间（trr）：34 ns
　　最大功耗（Ptot）：125 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220FP

BLV94具备出色的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻（RDS(on)），典型值仅为0.16Ω（在VGS=10V条件下测量），这显著降低了在高电流应用中的导通损耗，从而提高了电源系统的整体效率。该特性尤其适用于大功率DC-DC变换器和开关模式电源（SMPS）中，能够有效减少发热并简化散热设计。器件的高漏源击穿电压（600V）使其适用于离线式电源设计，例如AC-DC适配器、LED驱动电源和工业电源模块，能够在市电整流后的高压环境下安全可靠地工作。
　　另一个关键特性是其快速开关能力。BLV94具有较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，配合34ns的体二极管反向恢复时间，使其在高频开关操作中表现出优异的动态响应，减少了开关过程中的能量损耗。这对于提高开关频率、缩小磁性元件体积以及实现更高功率密度的设计至关重要。同时，该MOSFET具备良好的栅极驱动兼容性，可在+10V至+15V的标准驱动电压下完全导通，便于与常见的PWM控制器搭配使用。
　　从可靠性角度来看，BLV94采用了坚固的制造工艺和封装结构，具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载突变情况下维持器件完整性。其额定工作结温高达+150°C，并支持在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常运行，适用于高温工业环境或封闭式设备内部的恶劣条件。TO-220FP封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的热传导性能，可通过外接散热片进一步提升散热效率。此外，该器件通过了严格的品质认证，符合国际环保标准（RoHS），适用于绿色电子产品设计。综合来看，BLV94是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，适合多种中高功率应用场景。

BLV94常用于开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器件，适用于AC-DC和DC-DC转换拓扑，如反激式、正激式、半桥和全桥电路。其高耐压和低导通电阻特性也使其广泛应用于LED恒流驱动电源、工业电机控制、逆变器和UPS不间断电源系统中。此外，该器件还可用于电池充电器、家电电源模块和太阳能微逆变器等需要高效能功率开关的场合。

STP6NK90ZFP, STP7N60FD, FQP6N60, IRFBC30