TY30N50E 时间：2025/9/4 1:40:26 阅读：15

TY30N50E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机控制等高功率电子系统中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性。TY30N50E的漏源耐压（VDS）为500V，连续漏极电流（ID）可达30A，适用于中高功率应用。其封装形式通常为TO-220或TO-3P，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID@25℃）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω
　　功耗（PD）：400W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-3P

特性

TY30N50E具有多项优良的电气和热性能，首先其导通电阻较低，使得在高电流工作条件下能够有效减少导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源极可承受高达500V的电压，适用于高压电源系统。
　　此外，TY30N50E采用了高效的散热封装设计，确保在高功率工作环境下仍能保持良好的热稳定性，延长器件寿命。
　　该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高电路的响应速度和稳定性。
　　同时，其栅极驱动电压范围较宽（±30V），增强了与不同驱动电路的兼容性。
　　由于其结构设计优化，TY30N50E在高温环境下仍能稳定工作，适用于各种工业级和汽车级应用场合。

应用

TY30N50E广泛应用于多种电力电子设备中，例如：
　　在开关电源（SMPS）中作为主开关器件，用于高效转换交流电或直流电；
　　在DC-DC转换器中用于升压或降压操作，适用于通信设备和电动车电源系统；
　　在电机驱动和逆变器系统中作为功率开关，控制电机的转速与方向；
　　在UPS（不间断电源）系统中用于电源切换和能量存储控制；
　　在LED照明驱动电源中用于调节电流和提高能效；
　　也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，确保电池组的安全运行。