TX18B2GTGB 是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有较低的导通电阻和快速的开关性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及其他高功率电子系统。TX18B2GTGB 采用SOP(Small Outline Package)封装形式,具有良好的散热性能和紧凑的体积,适用于各种空间受限的应用场景。
类型:功率MOSFET
最大漏极电流(ID):1.8A
最大漏极-源极电压(VDS):20V
导通电阻(RDS(on)):0.23Ω @ VGS=4.5V
栅极阈值电压(VGS(th)):0.95V ~ 2.5V
最大栅极电压(VGS):±12V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOP-8
TX18B2GTGB 是一款高性能的功率MOSFET,具有以下显著特性:
1. **低导通电阻**:该器件的RDS(on)典型值为0.23Ω,在VGS=4.5V条件下可提供较低的导通损耗,提高整体系统效率。
2. **高速开关性能**:TX18B2GTGB具备快速的开关能力,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器。其短的开关时间和低的输入电容(CISS)有助于减少开关损耗。
3. **优异的热性能**:采用SOP-8封装设计,具有良好的散热能力,能够在较高功率下保持稳定运行,适用于紧凑型设计中的高效能需求。
4. **宽工作温度范围**:工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车应用。
5. **可靠的栅极保护**:栅极驱动电压范围为±12V,具备较高的抗静电能力,确保在复杂电磁环境中稳定运行。
6. **符合RoHS标准**:该器件符合RoHS环保标准,适用于绿色电子产品的设计和制造。
TX18B2GTGB 主要应用于以下领域:
1. **电源管理系统**:如便携式电子设备、笔记本电脑和移动电源中的DC-DC转换器和负载开关。
2. **电机控制**:用于小型电机的驱动电路,提供高效的功率开关功能。
3. **电池供电设备**:在电池管理系统(BMS)中用作高侧或低侧开关,控制电池充放电过程。
4. **工业自动化**:用于PLC、传感器模块和自动化控制系统的功率开关和继电器替代方案。
5. **汽车电子**:适用于车载充电器、LED照明控制系统和电动工具等汽车电子应用。
TPCA8103-H,TMN18N20K-G