类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：2
　　工作电压：2V
　　最大峰值脉冲电流（单通道）：1A
　　反向关态电压（VRWM）：2V
　　击穿电压（VBR）：典型值3.5V @ 1mA
　　钳位电压（VC）：最大值9V @ IPP = 1A
　　电容值（典型）：< 1pF（f = 1MHz）
　　ESD耐受能力：±30kV（IEC 61000-4-2, 空气/接触放电）
　　封装形式：SOT-23 或等效微型表面贴装封装
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率容量（峰值）：每通道可达300W（8/20μs波形）

TVX2V100MCD具备卓越的瞬态电压抑制性能，其核心优势在于超低电容设计，典型值小于1pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入额外的信号衰减或失真，因此非常适合用于现代高速数字接口的ESD保护。这一特性使得它能够在不影响数据速率的前提下提供强大的电磁干扰防护能力，尤其适用于带宽要求较高的应用场景，如高清视频传输、高速串行通信等。同时，由于其双向击穿特性，该器件可以有效应对正负极性的瞬态电压冲击，无需考虑输入信号极性方向，简化了电路布局与选型过程。
　　另一个显著特点是其极快的响应速度，通常在亚纳秒级别内即可完成从截止到导通的状态切换，这意味着在静电放电或其他瞬态事件发生时，TVX2V100MCD能够在电压上升初期就立即动作，将过压钳制在安全水平以下，从而最大程度地减少对下游CMOS器件的应力影响。这种快速响应机制结合低钳位电压（最大9V@1A）的设计，可有效避免后级IC因过压而导致的闩锁效应或永久性损伤。
　　该器件还具备优异的重复性和稳定性，在经历多次ESD冲击后仍能保持原有的电气特性不变，表现出出色的耐用性。其采用先进的半导体工艺制造，具有低漏电流（通常在微安级别以下），即使在长时间运行状态下也不会造成明显的功耗增加或温升问题。此外，TVX2V100MCD的小型化封装使其非常适合空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等紧凑型电子产品中，既能节省PCB面积，又能实现多点位保护布局。其宽广的工作温度范围也保证了在极端环境条件下的可靠运行，满足工业级和汽车级应用的部分需求。

TVX2V100MCD常用于各类需要高水平静电放电保护的电子系统中，特别是在高速数据接口和敏感模拟前端电路中发挥关键作用。典型应用包括USB 2.0/3.0数据线保护，其中低电容特性确保了信号完整性不受影响，同时能抵御用户插拔过程中产生的ESD事件；在HDMI、DisplayPort等音视频接口中，该器件可用于保护差分对信号线，防止因人体接触或电缆感应带来的瞬态干扰。此外，它也被广泛应用于I2C、SPI、UART等板内通信总线的IO口保护，避免由于操作不当或外部干扰引发的控制器复位或损坏。
　　在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表中，TVX2V100MCD因其微型封装和高性能表现成为首选的ESD防护方案之一。在工业控制系统中，可用于PLC模块、传感器接口、人机界面（HMI）等部位的信号调理电路保护，提升系统的抗干扰能力和现场适应性。另外，在医疗设备、测试仪器、网络通信设备等领域，该器件同样适用于对可靠性和安全性要求极高的场合，帮助产品通过严格的EMC认证测试。其双向保护能力和高耐压指标也使其适用于电池供电设备中的电源轨旁路保护，尤其是在低电压逻辑电路（如1.8V、2.5V、3.3V系统）中提供有效的过压屏障。

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　　 "SM712-02",
　　 "RCLAMP2524N",
　　 "TPD2E001DBVR",
　　 "ESD9L5.0ST5G"
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