TV5618 时间：2025/7/26 13:54:49 阅读：4

TV5618是一种高灵敏度、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，适合在高频率工作条件下使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A
　　功耗(Pd)：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.35Ω（典型值）
　　封装形式：TO-252
　　工艺技术：沟槽式MOSFET

特性

TV5618的主要特性包括低导通电阻，有助于减少功率损耗和提高效率；高耐压能力，使其适用于多种电源管理应用；此外，它具有快速开关特性，能够在高频率下稳定运行，减少开关损耗。该器件还具备良好的热稳定性，可以在较高温度下可靠工作，适用于要求严苛的工业和汽车电子系统。
　　另外，TV5618采用了TO-252封装，具有良好的散热性能，便于在PCB上安装和布局。其栅极设计优化了驱动特性，降低了栅极电荷，使得MOSFET更容易被驱动并减少开关时间。这些特性共同提升了系统的整体性能和稳定性。

应用

TV5618广泛应用于多种电源管理系统中，如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及LED照明驱动器。由于其高耐压和低导通电阻的特性，也适用于电池供电设备中的电源管理模块，如便携式电子产品、电动工具以及无人机等。此外，在工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器和电机控制器）中也有广泛应用。