时间：2025/12/28 19:19:29
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TV50C800JB-G 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用设计。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻，同时具备较高的耐压能力，适合用于电源管理和电机控制等高功率场景。其封装形式为TO-247，便于安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：50A
漏源电压（Vds）：800V
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
TV50C800JB-G 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为0.15Ω，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高达800V的漏源电压（Vds）和±30V的栅源电压（Vgs），具备良好的耐压能力，适用于高压环境。
此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提升了开关性能，降低了开关损耗，同时具备良好的热稳定性，确保长时间运行的可靠性。TO-247封装设计有助于良好的散热性能，使其能够承受较大的连续工作电流（50A）和较高的功耗（300W）。
TV50C800JB-G 主要应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子设备中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、工业自动化设备以及UPS（不间断电源）系统。由于其具备较低的导通电阻和较高的耐压能力，该器件也广泛用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
TK80E08K,TMOSFET-TF800C800JB
