时间：2025/8/14 12:17:03
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PJA3461-AU_R1_000A1 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率和高功率的应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关性能，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。
类型：功率MOSFET
技术：沟槽式MOSFET
封装类型：表面贴装（SOP）
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：6A
最大导通电阻（Rds(on)）：52mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
功耗（Pd）：2.5W
PJA3461-AU_R1_000A1 具有多个关键特性，使其在功率电子设计中具有广泛的适用性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，使得其在高频率开关应用中表现出色，降低了开关损耗。
此外，PJA3461-AU_R1_000A1 的封装设计为表面贴装（SOP），适用于自动化组装工艺，提高了生产效率和可靠性。其额定漏源电压为60V，栅源电压为±20V，支持较宽的驱动电压范围，适用于多种电源管理应用。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作，适应恶劣的工业环境。同时，其最大连续漏极电流为6A，能够满足高负载应用的需求。此外，2.5W的功耗设计确保其在高功率运行时仍能保持良好的散热性能。
PJA3461-AU_R1_000A1 常用于各种功率电子设备中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关以及电池管理系统等。其高效率和高可靠性的特性使其特别适合于便携式设备、工业控制系统、通信设备和汽车电子系统等应用场景。
在DC-DC转换器中，该MOSFET作为主开关器件，负责高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在电机控制应用中，它用于控制电机的启停和转速调节，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高电机效率。此外，在电池管理系统中，PJA3461-AU_R1_000A1 可作为负载开关，实现电池充放电的高效管理。
由于其封装形式适用于表面贴装工艺，因此在自动化生产线上具有良好的兼容性，能够提高生产效率并降低成本。
Si4461BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, AO4464
