时间：2025/9/2 0:49:14
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H9CKNNNAETMPLR-NTH 是一款由SK Hynix公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于高性能计算和数据密集型应用。这款DRAM芯片以其高容量和高速传输特性而著称，适合用于服务器、工作站以及其他需要大量内存的应用场景。该芯片采用了先进的制造工艺，确保了稳定性和可靠性，同时也支持低功耗操作，适用于多种现代计算平台。H9CKNNNAETMPLR-NTH的封装设计使其能够适应高密度内存模块的需求，从而为系统设计者提供了更大的灵活性。
类型: DRAM
容量: 8GB
速度: 3200Mbps
电压: 1.2V
封装: FBGA
数据宽度: 64位
温度范围: 0°C 至 85°C
封装尺寸: 13.5mm x 13.5mm
H9CKNNNAETMPLR-NTH DRAM芯片具备多项显著特性。首先，其8GB的高容量使其能够满足大内存需求的应用场景，如服务器和高性能计算设备。其次，该芯片的工作频率可达3200Mbps，提供了快速的数据访问能力，从而显著提升了系统性能。此外，该芯片采用了1.2V的低电压设计，有效降低了功耗和热量产生，有助于提高设备的能效并延长使用寿命。
H9CKNNNAETMPLR-NTH采用了先进的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，使得芯片更加紧凑，适合高密度内存模块的设计。这种封装方式不仅提高了芯片的散热性能，还增强了其机械稳定性和可靠性，适用于各种复杂的工作环境。该芯片的工作温度范围宽广，可在0°C至85°C之间正常运行，适应性强，能够在极端温度条件下保持稳定的工作状态。
此外，H9CKNNNAETMPLR-NTH还支持多种高级功能，包括自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新等，这些功能有助于进一步降低功耗并提高数据存储的稳定性。芯片内置的错误检测和纠正功能能够有效提高数据完整性，确保系统运行的可靠性。这些特性使H9CKNNNAETMPLR-NTH成为高性能计算、服务器、网络设备以及其他高端电子设备的理想选择。
H9CKNNNAETMPLR-NTH被广泛应用于高性能计算系统、服务器、工作站以及高端网络设备中。由于其高容量和高速度特性，这款DRAM芯片非常适合用于需要大量内存和快速数据访问的应用场景，例如大型数据库、虚拟化环境、云计算平台以及图形处理和人工智能计算等。此外，该芯片也可用于高端个人电脑和游戏主机，以提升系统性能和用户体验。
H9CKNNNAETMPLR-NTH的替代型号包括H9CPLNNNMAKMLR-NTH和H9CPNNN8TMMR-NTE
