时间：2025/12/28 19:22:28
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TV50C640JB-G 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频应用。该器件采用先进的沟槽式栅极结构，提供优异的导通性能和开关特性。该型号通常用于电源转换、电机控制、电池管理系统、DC-DC转换器以及工业自动化设备等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：6A
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω（最大值1.2Ω）
开启阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
反向恢复时间(trr)：未内置二极管
TV50C640JB-G 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，从而减少了导通损耗和开关损耗，提高了系统的整体效率。其500V的漏源击穿电压使其适用于多种高电压应用，如电源适配器、LED照明驱动器和工业控制设备。该MOSFET的TO-220封装形式具有良好的散热性能，适合在较高功率下稳定工作。
此外，该器件具有较高的栅极抗静电能力，能够在恶劣的电气环境中保持稳定运行。其±30V的栅源电压耐受能力提供了更宽的驱动电压范围，提高了设计的灵活性。TV50C640JB-G 还具备良好的热稳定性和过载能力，可在高温环境下正常工作，确保系统的长期可靠性。
TV50C640JB-G 主要用于需要中高功率处理能力的电路中，常见于各类工业设备和消费类电子产品。例如，在电源管理系统中，它可作为主开关器件用于AC-DC或DC-DC转换电路，实现高效的能量转换；在电机驱动和电机控制应用中，可用于H桥结构实现电机的正反转控制；在LED照明驱动电路中，作为功率开关用于恒流控制；此外，它还广泛应用于电池充电器、逆变器、UPS不间断电源、智能家电和自动化控制系统中。
2SK2647, 2SK1318, 2SK1173, 2SK2141
