时间：2025/12/28 20:51:48
阅读：9
TV50C160JB-G 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于高功率开关应用，例如在电源管理、电机控制、工业自动化和电力电子系统中。TV50C160JB-G 是一款N沟道增强型MOSFET，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻。这种晶体管通常采用TO-247封装，适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：160V
漏极电流（Id）：50A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.028Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
TV50C160JB-G 具备多项高性能特性，使其适用于各种高功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件的高电流承载能力（可达50A）使其适用于需要高输出功率的电源转换器和电机驱动器。
此外，TV50C160JB-G 的栅极电压容限为±20V，这使得其在使用中具有较高的稳定性和抗干扰能力。这种MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的场景。
TO-247封装提供了良好的散热性能，并且便于安装在散热片上，以进一步提升器件的热管理能力。该封装形式广泛用于高功率电子设备中，具备良好的机械强度和电气性能。
TV50C160JB-G 主要应用于需要高功率开关性能的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器和工业自动化设备。由于其高效率和低导通损耗，该器件非常适合用于高频率开关应用，有助于减小电源系统的体积并提高能效。
此外，该MOSFET也可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。在这些应用中，TV50C160JB-G 能够提供稳定的性能和较长的使用寿命，满足严苛的环境要求。
它还适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和工业电机驱动器，为这些系统提供高效、可靠的功率控制解决方案。
SiHF50N160E、IRF50N160D、FDP50N160、IXFH50N160
