时间：2025/12/28 19:16:36
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TV30C850JB-G 是一款由 Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及开关电源等场景。这款MOSFET采用先进的工艺制造，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于要求高性能和可靠性的电子系统。
类型：功率MOSFET
晶体管类型：N沟道
漏源电压(Vds)：850V
栅源电压(Vgs)：±30V
漏极电流(Id)@25℃：30A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.18Ω
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：TO-247
安装类型：通孔安装
TV30C850JB-G 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件的漏源电压为850V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压应用。此外，其最大漏极电流为30A，确保在大电流条件下也能稳定工作。
这款MOSFET采用了东芝的先进硅技术，具有良好的热管理和散热性能，能够在高温环境下可靠运行。其±30V的栅源电压允许在较宽的驱动电压范围内工作，增强了设计的灵活性。此外，TV30C850JB-G 还具备快速开关能力，适用于高频开关电路，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统的功率密度。
TV30C850JB-G 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。其高耐压能力和较大的电流承载能力使其特别适用于需要高效能和高稳定性的电源管理场合。此外，由于其快速开关特性和良好的热稳定性，该MOSFET也可用于高频电源转换器和功率放大器设计。
TK30A85D,SPP30N85C3AG4
