型号：UT2352G
　　通道类型：双N沟道
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：4.4A（单个FET）
　　脉冲漏极电流(IDM)：17.6A
　　导通电阻(RDS(on))：22mΩ（@ VGS=4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：28mΩ（@ VGS=2.5V）
　　阈值电压(VGS(th))：0.6V ~ 1.2V
　　输入电容(Ciss)：420pF（@ VDS=10V）
　　输出电容(Coss)：140pF（@ VDS=10V）
　　反向传输电容(Crss)：40pF（@ VDS=10V）
　　栅极电荷(Qg)：8nC（@ VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23-6

UT2352G采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，具备极低的导通电阻，能够在低电压、大电流的应用中有效降低导通损耗，提升整体系统效率。其RDS(on)典型值在VGS=4.5V时仅为22mΩ，在VGS=2.5V时为28mΩ，表明该器件对逻辑电平驱动具有良好的兼容性，尤其适用于由3.3V或2.5V电源供电的控制电路直接驱动。这种低阈值电压和低导通电阻的结合使得UT2352G在电池供电设备中表现尤为出色，能够显著延长设备的续航时间。
　　该器件内部集成两个完全独立的N沟道MOSFET，彼此之间具有良好的电气隔离性，允许用户灵活配置为并联使用以提高电流承载能力，或分别用于不同的开关路径，如H桥驱动、双向开关或同步整流拓扑。每个MOSFET可承受高达4.4A的连续漏极电流（在适当散热条件下），且脉冲电流可达17.6A，展现出强大的瞬态负载应对能力。此外，UT2352G具有较低的栅极电荷（Qg=8nC），这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有助于减少驱动IC的负担并降低开关损耗。
　　热稳定性方面，UT2352G采用了优化的封装设计，确保在高功率密度下仍能保持良好的散热性能。其最大工作结温可达150°C，并具备过温保护能力，配合外部热设计可实现长期稳定运行。同时，器件具有较强的抗静电能力，符合行业标准的ESD防护等级，增强了在生产装配和现场使用中的可靠性。SOT-23-6小型封装不仅节省空间，还便于自动化贴片生产，适合大规模制造需求。
　　总体而言，UT2352G凭借其高性能、小尺寸、低成本和高可靠性，成为众多中低功率电源管理应用的理想选择。无论是用于电池管理系统、LED驱动、DC-DC变换器还是各类便携式设备的电源开关控制，该器件都能提供稳定、高效的解决方案。

UT2352G广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关控制的电子设备中。常见应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电源管理模块，用于实现电池与负载之间的通断控制或多电源路径选择。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流开关，替代传统的肖特基二极管，以降低导通压降和功耗，从而提升转换效率。此外，该器件也适用于电机驱动电路中的H桥结构，控制直流电机的正反转，因其双通道设计可简化外围电路布局。
　　在LED照明驱动方案中，UT2352G可用于PWM调光控制或作为恒流源的开关元件，实现精确的亮度调节。其快速开关特性使其适合高频工作环境，减少响应延迟。在USB电源开关或充电管理电路中，该器件可用于过流保护和热插拔控制，防止瞬间浪涌电流损坏后级电路。工业控制领域中，UT2352G也可用于传感器供电开关、继电器驱动或PLC输入输出模块中的信号切换功能。
　　由于其支持逻辑电平驱动，UT2352G特别适合与微控制器（MCU）、FPGA或专用电源管理IC（PMIC）配合使用，实现智能化的电源控制策略。例如，在电池供电系统中，可通过MCU控制UT2352G的导通状态，动态关闭非必要模块以节省能耗，达到节能目的。其高集成度和小型封装也使其成为可穿戴设备、物联网终端等对空间要求极为严苛的产品中的理想选择。

AO3400A
　　FDS6679
　　SI2302DS
　　BSS138