时间：2025/12/28 19:21:41
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TV30C400JB-G 是一款由Toshiba（东芝）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高效率的开关应用。该器件采用先进的沟槽式（Trench）MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于诸如电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器以及工业自动化系统等应用。该MOSFET封装为TO-220，具备良好的热管理和散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：30A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大0.043Ω（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：150W
漏极功耗（Pd）：150W
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
TV30C400JB-G 采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该器件具有优异的热稳定性和可靠性，适用于高温环境下的长时间运行。其高耐压（400V）和大电流承载能力（30A）使其适用于各种高功率应用。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小电源系统体积并提高功率密度。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。该器件符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。
TV30C400JB-G 广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于：AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备、照明控制系统以及电动车充电器等。其高耐压和大电流能力使其特别适合于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子产品。
TK30A400V、IRF30B400PBF、FQA30N40、STW34NB20、IXFA30N40X
