HH15N0R7B500CT是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够显著提升系统效率并降低能耗。
该型号属于高压MOSFET系列,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:15A
导通电阻:0.05Ω
栅极电荷:80nC
开关速度:快
封装形式:TO-247
HH15N0R7B500CT的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:其额定漏源电压高达700V,适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻:仅为0.05Ω,有助于减少导通损耗,提高整体效率。
3. 快速开关性能:低栅极电荷设计使得开关速度更快,适合高频开关电路。
4. 高可靠性:通过严格的测试与筛选,确保在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 良好的热性能:优化的散热结构可有效降低结温,延长器件寿命。
6. 封装坚固耐用:采用TO-247标准封装,便于安装和维护,并提供优秀的电气连接性能。
HH15N0R7B500CT适用于多种工业和消费电子领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC转换器及适配器等产品中,提供高效能量转换。
2. 电机驱动:可用于控制各类直流无刷电机和其他类型的电动机。
3. DC-DC转换器:在车载电子设备、通信电源等领域实现电压调节功能。
4. 逆变器:为太阳能发电系统及其他可再生能源解决方案提供核心元件支持。
5. 其他高压应用:如电磁阀驱动、焊接设备等。
IRFP460,
FQP18N50,
STP15NB75,
IXTH15N70P