时间：2025/7/9 19:53:23
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HH15N0R7B500CT是一款高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，能够显著提升系统效率并降低能耗。
该型号属于高压MOSFET系列，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.05Ω
栅极电荷：80nC
开关速度：快
封装形式：TO-247
HH15N0R7B500CT的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：其额定漏源电压高达700V，适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻：仅为0.05Ω，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷设计使得开关速度更快，适合高频开关电路。
4. 高可靠性：通过严格的测试与筛选，确保在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 良好的热性能：优化的散热结构可有效降低结温，延长器件寿命。
6. 封装坚固耐用：采用TO-247标准封装，便于安装和维护，并提供优秀的电气连接性能。
HH15N0R7B500CT适用于多种工业和消费电子领域，具体包括：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器及适配器等产品中，提供高效能量转换。
2. 电机驱动：可用于控制各类直流无刷电机和其他类型的电动机。
3. DC-DC转换器：在车载电子设备、通信电源等领域实现电压调节功能。
4. 逆变器：为太阳能发电系统及其他可再生能源解决方案提供核心元件支持。
5. 其他高压应用：如电磁阀驱动、焊接设备等。
IRFP460,
FQP18N50,
STP15NB75,
IXTH15N70P
