时间：2025/12/28 20:45:01
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TV15C191JB-G是一款由Taiwan Semiconductor（台湾半导体）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热稳定性和电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：19A（在Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.11Ω（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
TV15C191JB-G具有低导通电阻，能够在高频率下高效运行，适用于高功率密度的设计。其采用先进的沟槽技术，提供优异的开关性能和导通损耗。该MOSFET还具备良好的热管理和过载能力，适合在高温环境下运行。此外，其封装设计有助于快速散热，提升整体系统的稳定性与可靠性。
该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与控制器或驱动IC配合使用。同时，TV15C191JB-G具有较高的耐用性和抗干扰能力，可在恶劣的电气环境中稳定工作。
TV15C191JB-G广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关和工业控制设备中。其高效率和高可靠性使其成为通信设备、服务器电源、LED照明驱动以及新能源系统中的理想选择。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF540N, FDP19N15, FQP19N15C
